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ZXMN3A01E6TA  与  RSQ020N03TR  区别

型号 ZXMN3A01E6TA RSQ020N03TR
唯样编号 A36-ZXMN3A01E6TA A33-RSQ020N03TR
制造商 Diodes Incorporated ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 小信号MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 2.4A SOT-23-6
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 134mΩ@2A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1.1W(Ta) 600mW(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs 120mΩ@2.5A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 190 pF @ 25 V -
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 3.9 nC @ 10 V -
封装/外壳 SOT-23-6 SOT-23-6,TSOT-23-6
工作温度 -55℃~150℃(TJ) 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 2.4A(Ta) 2A(Ta)
驱动电压 4.5V,10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 110pF @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 3.1nC @ 5V
库存与单价
库存 5,985 2,275
工厂交货期 3 - 15天 21 - 28天
单价(含税)
30+ :  ¥2.046
100+ :  ¥1.639
750+ :  ¥1.463
1,500+ :  ¥1.375
3,000+ :  ¥1.32
140+ :  ¥1.0829
500+ :  ¥1.0733
1,000+ :  ¥1.0733
2,000+ :  ¥1.0733
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
ZXMN3A01E6TA Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

SOT-23-6

¥2.046 

阶梯数 价格
30: ¥2.046
100: ¥1.639
750: ¥1.463
1,500: ¥1.375
3,000: ¥1.32
5,985 当前型号
RTQ020N03TR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

SOT-23-6,TSOT-23-6

¥1.4853 

阶梯数 价格
110: ¥1.4853
500: ¥1.2553
1,000: ¥1.2074
2,000: ¥1.1691
4,000: ¥1.1308
6,000 对比
RTQ020N03TR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

SOT-23-6,TSOT-23-6

¥1.4853 

阶梯数 价格
110: ¥1.4853
500: ¥1.2553
1,000: ¥1.2074
2,000: ¥1.1691
3,000 对比
RSQ020N03TR ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23-6,TSOT-23-6

¥1.0829 

阶梯数 价格
140: ¥1.0829
500: ¥1.0733
1,000: ¥1.0733
2,000: ¥1.0733
2,275 对比
IRLMS1503TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

Micro6™(TSOP-6)

¥2.321 

阶梯数 价格
30: ¥2.321
100: ¥1.87
750: ¥1.661
1,202 对比
RTQ020N03TR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

SOT-23-6,TSOT-23-6

¥1.4853 

阶梯数 价格
110: ¥1.4853
500: ¥1.2553
997 对比

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