首页 > 商品目录 > > > > DMG7430LFG-7代替型号比较

DMG7430LFG-7  与  RQ3E120GNTB  区别

型号 DMG7430LFG-7 RQ3E120GNTB
唯样编号 A36-DMG7430LFG-7 A33-RQ3E120GNTB
制造商 Diodes Incorporated ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 11mΩ 8.8mΩ@12A,10V
上升时间 21.2ns 4.5ns
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2.2W 2W
Qg-栅极电荷 26.7nC 10nC
栅极电压Vgs 2.5V ±20V
典型关闭延迟时间 22.3ns 25.5ns
正向跨导 - 最小值 - 10S
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 PowerDI HSMT-8
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 10.5A 12A
系列 DMG7430 -
通道数量 1Channel 1Channel
配置 SingleTripleSourceQuadDrain Single
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1281pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 26.7nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
下降时间 5.1ns 3.4ns
典型接通延迟时间 5.2ns 9.6ns
库存与单价
库存 4,000 2,170
工厂交货期 3 - 15天 21 - 28天
单价(含税)
50+ :  ¥1.1
100+ :  ¥0.737
1,000+ :  ¥0.6699
2,000+ :  ¥0.6094
60+ :  ¥2.7981
100+ :  ¥2.1561
500+ :  ¥1.7345
1,000+ :  ¥1.6482
2,000+ :  ¥1.5907
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMG7430LFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

PowerDI

¥1.1 

阶梯数 价格
50: ¥1.1
100: ¥0.737
1,000: ¥0.6699
2,000: ¥0.6094
4,000 当前型号
AON7506 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN3x3EP

¥1.133 

阶梯数 价格
50: ¥1.133
100: ¥0.7546
1,250: ¥0.6292
2,500: ¥0.5566
5,000 对比
RQ3E120GNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSMT-8

¥2.7981 

阶梯数 价格
60: ¥2.7981
100: ¥2.1561
500: ¥1.7345
1,000: ¥1.6482
2,000: ¥1.5907
2,170 对比
DMG7430LFGQ-7 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

PowerDI3333-8

¥2.068 

阶梯数 价格
30: ¥2.068
100: ¥1.584
1,000: ¥1.32
2,000: ¥1.1
2,000 对比
NTTFS4C13NTWG ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8-WDFN(3.3x3.3)

暂无价格 0 对比
AON7506 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN3x3EP

¥1.7887 

阶梯数 价格
1,020: ¥1.7887
2,500: ¥1.3989
5,000: ¥1.0911
0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售