| 制造商编号 | DMG6402LVT-7 |
|---|---|
| 制 造 商 | Diodes(达尔) |
| 唯样编号 | A36-DMG6402LVT-7 |
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
Single N-Channel 30 V 42 mOhm 11.4 nC 1.75 W Silicon SMT Mosfet - TSOT-26
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| PDF资料下载 |
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2V @ 250µA | |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 11.4nC @ 10V | |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 498pF @ 15V | |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | |
| 封装/外壳 | TSOT-26 | |
| 连续漏极电流Id | 6A | |
| Pd-功率耗散(Max) | 1.75W | |
| Qg-栅极电荷 | 11.4nC | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 30mΩ | |
| 漏源极电压Vds | 30V | |
| 栅极电压Vgs | 1.5V | |
| 上升时间 | 6.2ns | |
| 下降时间 | 2.8ns | |
| 典型关闭延迟时间 | 13.9ns | |
| 典型接通延迟时间 | 3.4ns | |
| 系列 | DMG6402 | |
| 通道数量 | 1Channel | |
| 配置 | Single |
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| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| AO3401A | 276,000 |
| PJA3441_R1_00001 | 141,000 |
| PJD16P06A-AU_L2_000A1 | 42,000 |
| NCEP039N10D | 24,000 |
| NCE6012AS | 20,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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DMG6402LVT-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
TSOT-26 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||
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AO6424 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TSOP-6 |
￥1.5385
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2,979 | 对比 | ||||||||||||
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NTGS4141NT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
SOT23-6 |
￥1.584
|
815 | 对比 | ||||||||||||
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IRLMS2002TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
Micro6™(SOT23-6) |
暂无价格 | 4 | 对比 | ||||||||||||
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STT6N3LLH6 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
SOT |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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STT6N3LLH6 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
SOT |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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