制造商编号 | SI2316BDS-T1-GE3 |
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制 造 商 |
Vishay(威世)
授权代理品牌
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唯样编号 | A36-SI2316BDS-T1-GE3 |
供货 | 严选 |
无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
描述 |
Si2316BDS Series N-Channel 30 V 50 mOhm 1.66 W Surface Mount Mosfet - TO-236
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图片 | 商品 | 数据手册 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
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数据手册 |
4.5A(Tc) N-Channel 50 mOhms @ 3.9A,10V 1.25W(Ta),1.66W(Tc) SOT-23-3 -55℃~150℃ 30V |
暂无价格 | 19 | 当前型号 | |||||||||||||||
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数据手册 |
N-Channel 770mW(Ta) ±20V SOT-23-3 -55℃~150℃(TJ) 30V 3.6A(Ta) |
¥0.6193
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19,619 | 对比 | |||||||||||||||
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数据手册 |
N-Channel 1W(Ta) ±20V SOT-23-3 -55℃~150℃(TJ) 30V 3.2A(Ta) |
¥1.661
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5,183 | 对比 | |||||||||||||||
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数据手册 |
±12V 1.3W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 63mΩ@3.4A,4.5V N-Channel 30V 3.4A Micro3™/SOT-23 |
暂无价格 | 0 | 对比 | |||||||||||||||
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数据手册 |
SOT23-3 N-Channel 30V 12V 4A 1.4W 52mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 | |||||||||||||||
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数据手册 |
3.6A(Ta) N-Channel ±20V 50 mΩ @ 3.6A,10V SOT-23-3 1.4W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 30V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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参数有误?
参数 | 参数值 | 操作 |
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商品目录 | 通用MOSFET | |
连续漏极电流Id | 4.5A(Tc) | |
FET类型 | N-Channel | |
Vgs(最大值) | ±20V | |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 50 mOhms @ 3.9A,10V | |
Vgs(th) | 3V @ 250uA | |
Pd-功率耗散(Max) | 1.25W(Ta),1.66W(Tc) | |
封装/外壳 | SOT-23-3 | |
工作温度 | -55℃~150℃ | |
漏源极电压Vds | 30V |
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SI2316BDS-T1-GE3
自营库存:0
高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压
紧凑型透射式传感器,符合车规AEC-Q101标准
漏电流低,稳定性高,可进行波峰焊和回流焊
低正向压降,低漏电流,高正向浪涌能力
非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率IGBT和MOSFET
PCN SIL-0172020 SQS411ENW DS Revision from A to B 07072020
PCN SIL-0162020 SQM120P06-07L DS Revision from B to C
PCN SIL-0152020 SQM120P04-04L DS Revision from B to C
PCN-DD-019-2020 Rev 0_Additional Wafer Source for Bi SMX TVS Products
PCN-DD-014-2020 Rev 0_MicroSMF PLZ series bonding wire change
Private copy of PCN-DD-006-2020---Vishay
制造商编号 | 最近销量(PCS) |
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CQA34P01 | 510,000 |
LP2301LT1G | 393,000 |
PJA3430_R1_00001 | 63,000 |
CRSM013N06N4Z | 50,000 |
AONR21357_203 | 30,000 |