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参数有误?
参数 | 参数值 | 操作 |
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商品目录 | SiC MOSFET | |
FET类型 | N-Channel | |
漏源极电压Vds | 650V | |
连续漏极电流Id | 70A(Tc) | |
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 18V | |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5.6V @ 13.3mA | |
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 104nC @ 18V | |
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | 1526pF @ 500V | |
栅极电压Vgs | +22V,-4V | |
Pd-功率耗散(Max) | 262W(Tc) | |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 39mΩ@27A,18V | |
工作温度 | 175°C(TJ) | |
封装/外壳 | TO-247-3 |
A : 请您放心,唯样商城所售卖的商品均为原装正品,我们是国内外知名品牌厂商的电子元件授权经销商,从源头保证品质。
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价格梯度 | 单价(含税) |
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1 + | ¥180.5708 |
3 + | ¥142.7586 |
4 + | ¥138.0345 |
5 + | ¥135.1981 |
9 + | ¥130.1578 |
10 + | ¥129.5254 |
20 + | ¥126.689 |
30 + | ¥125.7499 |
¥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价:¥180.5708 总价:¥180.5708 |
购买数量不足MPQ时,均为剪切带或散料出货。
最小包:450
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务,因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少,如果要购买整盘,建议购买这个数量的整数倍
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交期: 3周-4周 |
起订量:1 | 倍数:1 |
生产年份 : 2023 年
高精度电流检测,具备-14V~+80V的宽共模电压范围,可输出模拟电压信号
专为汽车应用设计的电流检测放大器,适用于高精度电流监测场景
低开关损耗,低导通电阻,小型芯片尺寸,实现了更低的电容和栅极电荷
2-line且双向的ESD(静电放电)保护,保护水平高达±30 kV
承受10us短路时间,低集电极-发射极饱和电压,内置快速恢复二极管(FRD)
制造商编号 | 最近销量(PCS) |
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IV3Q12035T4Z | 13,550 |
IV1Q06040T3 | 805 |
CRXQ25M065G1 | 673 |
IV1Q12080T3 | 650 |
IV2Q12030T4Z | 540 |
图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||||
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SCT3030ALGC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | SiC MOSFET |
null |
¥180.5708
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47 | 当前型号 | ||||||||||||||||||
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FCH041N60E | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
77A(Tc) ±20V 592W(Tc) 41m Ohms@39A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-247-3 TO-247 N-Channel 600V 77A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||||||
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FCH041N60F | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
76A(Tc) ±20V 595W(Tc) 41m Ohms@38A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-247-3 TO-247 N-Channel 600V 76A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||||||
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IPW60R041P6FKSA1 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
IPW60R041P6_N 通道 TO-247-3 -55°C ~ 150°C(TJ) |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||||||
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IPW60R041P6 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
IPW60R041P6FKSA1_600V 77.5A 37mΩ 20V 481W N-Channel -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 |