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小信号MOSFET   TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

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制造商编号 DMP2170U-7
制 造 商 Diodes(达尔)
唯样编号 A3-DMP2170U-7
供货
无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:3.1A(Ta) 栅极电压Vgs:±12V Pd-功率耗散(Max):780mW(Ta)
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商品目录 小信号MOSFET
系列 汽车级,AEC-Q101
FET类型 P-Channel
漏源极电压Vds 20V
连续漏极电流Id 3.1A(Ta)
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 2.5V,4.5V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1.25V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 7.8nC @ 10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 303pF @ 10V
栅极电压Vgs ±12V
Pd-功率耗散(Max) 780mW(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 90mΩ@3.5A,4.5V
工作温度 -55°C~150°C(TJ)
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
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