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功率MOSFET   SOT-23

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制造商编号 NTR4101PT1G
制 造 商 ON(安森美)
唯样编号 A3-NTR4101PT1G-3
供货
无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
P-Channel 20 V 70 mOhm 0.73 W Surface Mount Trench Power MOSFET - SOT-23
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商品目录 功率MOSFET
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 1.8V,4.5V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 8.5nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 675pF @ 10V
栅极电压Vgs ±8V
Pd-功率耗散(Max) 420mW(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 85m Ohms@1.6A,4.5V
工作温度 -55°C~150°C(TJ)
封装/外壳 SOT-23
FET类型 P-Channel
漏源极电压Vds 20V
连续漏极电流Id 3.2A
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