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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 电可擦只读存储器(EEPROM) | |
| 存储器类型 | 非易失 | |
| 存储容量 | 2Kb (256 x 8) | |
| 时钟频率 | 400kHz | |
| 写周期时间-字，页 | 5ms | |
| 存储器接口 | I²C | |
| 电压-电源 | 1.6 V ~ 5.5 V | |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C(TA) | |
| 封装/外壳 | 8-MSOP |
ROHM 的高可靠性串行 EEPROM 占有较大的市场份额，并提供各种容量、总线接口（Microwire、I²C、SPI）、工作电压（1.7V 至 5.5V、1.8V 至 5.5V、2.5V 至 5.5V、3.0V 至 3.6V）以及封装类型，使其特别适用于电池供电设备。整个系列均无铅且符合 RoHS 标准。
完全符合 I2C 总线
宽工作电压范围：1.7 至 5.5V
数据重写高达 1,000,000 次
ROHM 的高可靠性串行 EEPROM 占有较大的市场份额，并提供各种容量、总线接口（Microwire、I²C、SPI）、工作电压（1.7V 至 5.5V、1.8V 至 5.5V、2.5V 至 5.5V、3.0V 至 3.6V）以及封装类型，使其特别适用于电池供电设备。整个系列均无铅且符合 RoHS 标准。
完全符合 I2C 总线
宽工作电压范围：1.7 至 5.5V
数据重写高达 1,000,000 次
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
|---|---|
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暂无价格 |
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最小包：3,000
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 3天-15天 |
承受10us短路时间，低集电极-发射极饱和电压，内置快速恢复二极管（FRD）
低开关损耗且高速开关工作，它被广泛用于电源的PFC电路中
低集电极和发射极饱和电压，内置非常快速和软恢复的 FRD
24个通道的恒流驱动芯片，每个通道都能提供最大1A的输出电流
具有60V漏源电压（VDSS）和±15.5A连续漏极电流，适用开关、电机驱动器和直流/直流转换器
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| GT34C04-2UDLI-TR | 5,000 |
| GT24C16A-2GLA1-TR | 4,000 |
| GT24C256C-2GLI-TR | 4,000 |
| GT25C256A-2GLA1-TR | 503 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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BR24G02FVM-3GTTR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 电可擦只读存储器(EEPROM) |
8-MSOP |
暂无价格 | 3,000 | 当前型号 | ||||||||||||||||
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M24C02-FDW6TP | STMicro | 数据手册 | 存储器 |
TSSOP-8 |
￥0.6765
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10,170 | 对比 | ||||||||||||||||
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BR24L02FVM-WTR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 电可擦只读存储器(EEPROM) |
8-MSOP |
￥6.2574
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6,000 | 对比 | ||||||||||||||||
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BR24L02FVM-WTR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 电可擦只读存储器(EEPROM) |
8-MSOP |
￥6.2574
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3,000 | 对比 | ||||||||||||||||
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BR24L02FVM-WTR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 电可擦只读存储器(EEPROM) |
8-MSOP |
￥6.2574
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273 | 对比 | ||||||||||||||||
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BR24L02FVM-WTR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 电可擦只读存储器(EEPROM) |
8-MSOP |
￥1.1515
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98 | 对比 |
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