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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
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| 商品目录 | TVS二极管 | |
| 类型 | 单向 | |
| 封装/外壳 | DO-214AB | |
| 反向工作电压Vrwm | 28V | |
| 反向击穿电压Vbr | 31.1V | |
| 钳位电压Vc | 45.4V | |
| 峰值脉冲电流Ipp | 33A | |
| 工作温度 | -55℃~150℃ |
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
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交期： 请咨询客服 |
低开关损耗，低导通电阻，小型芯片尺寸，实现了更低的电容和栅极电荷
低损耗，极低的电容值（低至0.05pF）和极严格的电容公差（±0.02pF~±1pF）
单通道 4A 的高速低侧栅极驱动器，用于新兴的宽带隙功率器件驱动
2-line且双向的ESD（静电放电）保护，保护水平高达±30 kV
频率范围广泛，不同型号覆盖从40MHz~1.8GHz
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