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Inventchip SiC系列MOSFET

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高耐压和低导通电阻;高热传导系数和耐高温;快速开关速度

瞻芯电子在第三代半导体材料SiC MOSFET领域取得显著进展,成功掌握了6英寸SiC MOSFET产品及工艺平台。通过持续的技术迭代,瞻芯电子的SiC MOSFET具有高耐压和低导通电阻;高热传导系数和耐高温;快速开关速度等特性,且采用TO247-4和TO263-7等封装,减小体积、降低导通损耗,并提高焊接便利性。

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特性:

  • 高耐压和低导通电阻

  • 高热传导系数和耐高温

  • 快速开关速度

  • 车规级可靠性认证部分产品符合AEC-Q101标准

  • 封装优化:采用TO247-4和TO263-7等封装,减小体积、降低导通损耗

  • VDS电压范围:600V~1700V

应用:

适用于风能逆变、光伏逆变、工业电源、新能源汽车、电机驱动、充电桩等领域

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