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MOSFET   TO-252-3

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制造商编号 DMNH10H028SK3-13
制 造 商 Diodes(达尔)
唯样编号 A-DMNH10H028SK3-13
供货
无铅情况/RoHs
描述
MOSFET N-CH 100V 55A TO252
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参数信息 常见问题

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参数 参数值 操作
商品目录 MOSFET
FET类型 N-Channel
Pd-功率耗散(Max) 2W(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs 28mΩ@20A,10V
栅极电压Vgs ±20V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 2245 pF @ 50 V
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 36 nC @ 10 V
封装/外壳 TO-252-3
工作温度 -55℃~175℃(TJ)
漏源极电压Vds 100V
连续漏极电流Id 55A(Tc)
驱动电压 10V
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