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功率MOSFET   TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

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制造商编号 SQ2361AEES-T1_GE3
制 造 商 Vishay(威世)
唯样编号 A-SQ2361AEES-T1_GE3
供货
无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
MOSFET
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参数 参数值 操作
商品目录 功率MOSFET
系列 SQ
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 15nC @ 10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 620pF @ 30V
工作温度 -55°C~175°C(TA)
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
连续漏极电流Id 2.8A
Pd-功率耗散(Max) 2W
Qg-栅极电荷 10nC
Rds On(Max)@Id,Vgs 170mΩ
漏源极电压Vds 60V
栅极电压Vgs 1.5V
上升时间 9ns
下降时间 4ns
典型关闭延迟时间 24ns
典型接通延迟时间 9ns
正向跨导 - 最小值 5S
通道数量 1Channel
配置 Single
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库存 :  40 生产周期:27W

价格梯度 单价(含税)

整包(请按3000的倍数下单)

3,000+ ¥1.0501
¥2  
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘

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最小包:3,000 
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交期: 3天-5天
起订量:3,000 倍数:3,000

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