| 制造商编号 | SQ2361ES-T1_GE3 |
|---|---|
| 制 造 商 | Vishay(威世) |
| 唯样编号 | A-SQ2361ES-T1_GE3 |
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
MOSFET
|
参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| 系列 | SQ | |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 250µA | |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 12nC @ 10V | |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 550pF @ 30V | |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | |
| 封装/外壳 | TO-236 | |
| 连续漏极电流Id | 2.8A | |
| Pd-功率耗散(Max) | 2W | |
| Qg-栅极电荷 | 12nC | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 130mΩ | |
| 漏源极电压Vds | 60V | |
| 栅极电压Vgs | 2.5V | |
| 上升时间 | 9ns | |
| 下降时间 | 4ns | |
| 典型关闭延迟时间 | 22ns | |
| 典型接通延迟时间 | 8ns | |
| 正向跨导 - 最小值 | 5S | |
| 通道数量 | 1Channel | |
| 配置 | Single |
TrenchFET® 功率 MOSFET
材料分类
TrenchFET® 功率 MOSFET
材料分类
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
|---|---|
整包（请按3000的倍数下单） |
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| 3,000+ | ￥1.8681 |
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￥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价：￥ 总价：￥ |
购买数量不足MPQ时，均为剪切带或散料出货。
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最小包：3,000
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 3天-5天 |
| 起订量：3,000 | 倍数：3,000 |
紧凑型透射式传感器，符合车规AEC-Q101标准
电子产品在不同环境条件下进行温度控制的理想选择，响应时间低至t0.9≤2秒
16位高分辨率ALS具有出色的传感功能，具有足够的选择来满足大多数应用
漏电流低，稳定性高，可进行波峰焊和回流焊
低正向压降，低漏电流，高正向浪涌能力
PCN SIL-0172020 SQS411ENW DS Revision from A to B 07072020
PCN SIL-0162020 SQM120P06-07L DS Revision from B to C
PCN SIL-0152020 SQM120P04-04L DS Revision from B to C
PCN-DD-019-2020 Rev 0_Additional Wafer Source for Bi SMX TVS Products
PCN-DD-014-2020 Rev 0_MicroSMF PLZ series bonding wire change
Private copy of PCN-DD-006-2020---Vishay
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| AO3401A | 276,000 |
| PJA3441_R1_00001 | 141,000 |
| PJD16P06A-AU_L2_000A1 | 42,000 |
| NCEP039N10D | 24,000 |
| NCE6012AS | 20,000 |
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