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参数有误?
参数 | 参数值 | 操作 |
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商品目录 | 通用MOSFET | |
工作温度 | 150°C(TJ) | |
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 4V,10V | |
技术 | MOSFET(金属氧化物) | |
FET类型 | N 通道 | |
漏源电压(Vdss) | 100V | |
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 950pF @ 25V | |
封装/外壳 | CPT3 | |
25°C时电流-连续漏极(Id) | 17.5A(Ta) | |
不同Id时Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 1mA | |
功率耗散(最大值) | 20W(Tc) | |
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) | 24nC @ 10V | |
Vgs(最大值) | ±20V | |
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 105 毫欧 @ 8.8A,10V |
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低开关损耗,低导通电阻,小型芯片尺寸,实现了更低的电容和栅极电荷
2-line且双向的ESD(静电放电)保护,保护水平高达±30 kV
承受10us短路时间,低集电极-发射极饱和电压,内置快速恢复二极管(FRD)
低开关损耗且高速开关工作,它被广泛用于电源的PFC电路中
低集电极和发射极饱和电压,内置非常快速和软恢复的 FRD
制造商编号 | 最近销量(PCS) |
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CQD50N06 | 30,000 |
PMLL4148L,115 | 30,000 |
LN4501LT1G | 25,700 |
PXN012-60QLJ | 18,880 |
100N03A | 12,500 |
图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
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RSD175N10TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
CPT3 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | |||||||||||||||
RD3P175SNFRATL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252-3 |
¥10.5024
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2,298 | 对比 | |||||||||||||||
RD3P175SNFRATL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252-3 |
¥10.5024
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861 | 对比 | |||||||||||||||
AOD2922 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 |
¥1.1633
|
283 | 对比 | |||||||||||||||
AOD2922 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 |
¥1.606
|
159 | 对比 | |||||||||||||||
IRLR3410PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
D-Pak |
暂无价格 | 0 | 对比 |