制造商编号 | FDS9945-NL |
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制 造 商 |
VBsemi(微碧半导体)
授权代理品牌
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唯样编号 | A-FDS9945-NL |
供货 | |
无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
描述 |
N+N沟道,60V,7A,40mΩ@10V
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参数有误?
参数 | 参数值 | 操作 |
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商品目录 | 功率MOSFET | |
封装/外壳 | SOP8 | |
FET类型 | N+N-Channel | |
Pd-功率耗散(Max) | 4W | |
栅极电压Vgs | ±20V | |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 40mΩ@10V | |
漏源极电压Vds | 60V | |
连续漏极电流Id | 7A |
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价格梯度 | 单价(含税) |
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暂无价格 |
最小包:4,000
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交期: 请咨询客服 |
低损耗,极低的电容值(低至0.05pF)和极严格的电容公差(±0.02pF~±1pF)
单通道 4A 的高速低侧栅极驱动器,用于新兴的宽带隙功率器件驱动
2-line且双向的ESD(静电放电)保护,保护水平高达±30 kV
频率范围广泛,不同型号覆盖从40MHz~1.8GHz
最大结温高达175°C,极快反向恢复能力
制造商编号 | 最近销量(PCS) |
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AO3401A | 546,000 |
PJA3441_R1_00001 | 141,000 |
PJD16P06A-AU_L2_000A1 | 42,000 |
AO3400A | 36,010 |
NCEP039N10D | 28,800 |