关于品牌 授权代理 产品线 市场新闻
唯样已成为VBsemi官方授权代理商
该品牌共有428种商品   0人订阅
+订阅 已订阅
订阅可获得最新品牌资讯,品牌资源和促销活动等

品牌介绍

VBsemi是深圳市微碧半导体有限公司旗下的品牌,专注于MOSFET领域的设计、生产和销售。作为国际知名品牌,VBsemi以其稳定的品质、多样化的产品系列和卓越的性能在业界广受赞誉。 企业以自有的品牌“微碧VBsemi”并以其为核心,积极批量开发,致力服务于中高端市场的终端制造商,整体生产体系严格执行ISO9001国际质量标准, VBsemi的产品线主要涵盖中低压和高压MOSFET,封装规格齐全,有:SOP-8、TO252、DFN、TO-220等等一系列的封装产线,参数范围 电压:12V-1700V 电流:0.5A-450A;产品生产严格执行ISO9001国际质量标准,均符合RoHs/REACH环保要求。

852 1/43
图片
商品
描述
关键参数
单价(含税)
库存
CSD17579Q3A
严选
功率MOSFET

N沟道,30V,30A,10mΩ@10V

封装/外壳 : QFN8(3X3)

FET类型 : N-Channel

栅极电压Vgs : ±20V

漏源极电压Vds : 30V

连续漏极电流Id : 30A

Pd-功率耗散(Max) : 16.7W

Rds On(Max)@Id,Vgs : 10mΩ@10V

库存:37,500

客服询价

MPQ:5,000

交期:3天-15天

VBQA1102N
严选
功率MOSFET

N沟道,100V,30A,18mΩ@10V

封装/外壳 : DFN8(5X6)

FET类型 : N-Channel

栅极电压Vgs : 5V

漏源极电压Vds : 100V

连续漏极电流Id : 30A

Pd-功率耗散(Max) : 60W

Rds On(Max)@Id,Vgs : 17mΩ@30A,10V

库存:5,000

客服询价

MPQ:5,000

交期:3天-15天

VBQA1302
严选
功率MOSFET

N沟道,30V,100A,2.7mΩ@10V

封装/外壳 : DFN8(5X6)

FET类型 : N-Channel

栅极电压Vgs : 2.5V

漏源极电压Vds : 30V

连续漏极电流Id : 100A

Pd-功率耗散(Max) : 250W

Rds On(Max)@Id,Vgs : 2.5mΩ@29A,4.5V

库存:5,000

客服询价

MPQ:5,000

交期:3天-15天

VBQA1303
严选
功率MOSFET

N沟道,30V,80A,3mΩ@10V

封装/外壳 : DFN8(5X6)

FET类型 : N-Channel

栅极电压Vgs : 2.5V

漏源极电压Vds : 30V

连续漏极电流Id : 80A

Pd-功率耗散(Max) : 210W

Rds On(Max)@Id,Vgs : 3mΩ@80A,10V

库存:5,000

客服询价

MPQ:5,000

交期:3天-15天

VBQA1308
严选
功率MOSFET

N沟道,30V,60A,6.5mΩ@10V

封装/外壳 : DFN8(5X6)

FET类型 : N-Channel

栅极电压Vgs : 2V

漏源极电压Vds : 30V

连续漏极电流Id : 60A

Pd-功率耗散(Max) : 155W

Rds On(Max)@Id,Vgs : 7mΩ@60A,10V

库存:5,000

客服询价

MPQ:5,000

交期:3天-15天

VBQA1402
严选
功率MOSFET

N沟道,40V,120A,2mΩ@10V

封装/外壳 : DFN8(5X6)

FET类型 : N-Channel

栅极电压Vgs : 4V

漏源极电压Vds : 40V

连续漏极电流Id : 120A

Pd-功率耗散(Max) : 83W

Rds On(Max)@Id,Vgs : 2.5mΩ@120A,10V

库存:5,000

客服询价

MPQ:5,000

交期:3天-15天

VBQA1405
严选
功率MOSFET

N沟道,40V,70A,5mΩ@10V

封装/外壳 : DFN8(5X6)

FET类型 : N-Channel

栅极电压Vgs : 2.5V

漏源极电压Vds : 40V

连续漏极电流Id : 70A

Pd-功率耗散(Max) : 100W

Rds On(Max)@Id,Vgs : 5mΩ@70A,10V

库存:5,000

客服询价

MPQ:5,000

交期:3天-15天

VBQA1606
严选
功率MOSFET

N沟道,60V,90A,6mΩ@10V

封装/外壳 : DFN8(5X6)

FET类型 : N-Channel

栅极电压Vgs : 4V

漏源极电压Vds : 60V

连续漏极电流Id : 80A

Pd-功率耗散(Max) : 136W

Rds On(Max)@Id,Vgs : 13mΩ@15A,4.5V

库存:5,000

客服询价

MPQ:5,000

交期:3天-15天

VBQA1638
严选
功率MOSFET

N沟道,60V,15A,25mΩ@10V

封装/外壳 : DFN8(5X6)

FET类型 : N-Channel

栅极电压Vgs : 2.8V

漏源极电压Vds : 60V

连续漏极电流Id : 15A

Pd-功率耗散(Max) : 35.7W

Rds On(Max)@Id,Vgs : 24mΩ@10A,10V

库存:5,000

客服询价

MPQ:5,000

交期:3天-15天

VBQA2305
严选
功率MOSFET

P沟道,-30V,-120A,4mΩ@-10V

封装/外壳 : DFN8(5X6)

FET类型 : P-Channel

栅极电压Vgs : 3V

漏源极电压Vds : 30V

连续漏极电流Id : 120A

Pd-功率耗散(Max) : 110W

Rds On(Max)@Id,Vgs : 4mΩ@120A,10V

库存:5,000

客服询价

MPQ:5,000

交期:3天-15天

VBQA2309
严选
功率MOSFET

P沟道,-30V,-60A,8mΩ@-10V

封装/外壳 : DFN8(5X6)

FET类型 : P-Channel

栅极电压Vgs : 2.5V

漏源极电压Vds : 30V

连续漏极电流Id : 60A

Pd-功率耗散(Max) : 75W

Rds On(Max)@Id,Vgs : 8mΩ@60A,10V

库存:5,000

客服询价

MPQ:5,000

交期:3天-15天

VBQF1303
严选
功率MOSFET

N沟道,30V,50A,4mΩ@4.5V

封装/外壳 : DFN8(3X3)

FET类型 : N-Channel

栅极电压Vgs : 1.5V

漏源极电压Vds : 30V

连续漏极电流Id : 50A

Pd-功率耗散(Max) : 52W

Rds On(Max)@Id,Vgs : 4mΩ@10A,4.5V

库存:5,000

客服询价

MPQ:5,000

交期:3天-15天

VBQF1306
严选
功率MOSFET

N沟道,30V,40A,5mΩ@10V

封装/外壳 : DFN8(3X3)

FET类型 : N-Channel

栅极电压Vgs : 3V

漏源极电压Vds : 30V

连续漏极电流Id : 40A

Pd-功率耗散(Max) : 6W

Rds On(Max)@Id,Vgs : 4.5mΩ@40A,10V

库存:5,000

客服询价

MPQ:5,000

交期:3天-15天

VBQF1310
严选
功率MOSFET

N沟道,30V,30A,10mΩ@10V

封装/外壳 : DFN8(3X3)

FET类型 : N-Channel

栅极电压Vgs : 3V

漏源极电压Vds : 30V

连续漏极电流Id : 30A

Pd-功率耗散(Max) : 16.7W

Rds On(Max)@Id,Vgs : 10mΩ@30A,10V

库存:5,000

客服询价

MPQ:5,000

交期:3天-15天

FDMC8878
严选
功率MOSFET

N沟道,30V,30A,10mΩ@10V

封装/外壳 : QFN8(3X3)

FET类型 : N-Channel

栅极电压Vgs : ±20V

漏源极电压Vds : 30V

连续漏极电流Id : 30A

Pd-功率耗散(Max) : 16.7W

Rds On(Max)@Id,Vgs : 10mΩ@10V

库存:5,000

客服询价

MPQ:5,000

交期:3天-15天

VBQF2309
严选
功率MOSFET

P沟道,-30V,-35A,9mΩ@10V

封装/外壳 : QFN8(3X3)

FET类型 : P-Channel

栅极电压Vgs : -2.8V

漏源极电压Vds : -30V

连续漏极电流Id : -35A

Pd-功率耗散(Max) : 52W

库存:5,000

客服询价

MPQ:5,000

交期:3天-15天

VBA1101M
严选
功率MOSFET

N沟道,100V,3.5A,95mΩ@10V

封装/外壳 : SOP8

FET类型 : N-Channel

栅极电压Vgs : 3V

漏源极电压Vds : 100V

连续漏极电流Id : 4.2A(Tc)

Pd-功率耗散(Max) : 4.8W(Tc)

Rds On(Max)@Id,Vgs : 150mΩ@2.7A,10V

库存:4,000

客服询价

MPQ:4,000

交期:3天-15天

VBA1104N
严选
功率MOSFET

N沟道,100V,6.4A,40mΩ@10V

封装/外壳 : SOP8

FET类型 : N-Channel

栅极电压Vgs : 3V

漏源极电压Vds : 100V

连续漏极电流Id : 6.4A(Tc)

Pd-功率耗散(Max) : 5.9W(Tc)

Rds On(Max)@Id,Vgs : 40mΩ@5A,10V

库存:4,000

客服询价

MPQ:4,000

交期:3天-15天

VBA1158N
严选
功率MOSFET

N沟道,150V,5A,80mΩ@10V

封装/外壳 : SOP8

FET类型 : N-Channel

栅极电压Vgs : 2.5V

漏源极电压Vds : 150V

连续漏极电流Id : 5.4A(Tc)

Pd-功率耗散(Max) : 5.9W(Tc)

Rds On(Max)@Id,Vgs : 90mΩ@5A,10V

库存:4,000

客服询价

MPQ:4,000

交期:3天-15天

VBA1210
严选
功率MOSFET

N沟道,20V,12A,10mΩ@10V

封装/外壳 : SOP8

FET类型 : N-Channel

栅极电压Vgs : 3V

漏源极电压Vds : 20V

连续漏极电流Id : 12A(Tc)

Pd-功率耗散(Max) : 4.1W(Tc)

Rds On(Max)@Id,Vgs : 12mΩ@10A,10V

库存:4,000

客服询价

MPQ:4,000

交期:3天-15天

图像仅供参考 请参阅产品规格
图片丝印不一定为本产品

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售

Tips
Your browser language is English. Do you want to browse the English Website?
YESNO

我们会将数据手册发送到您的邮箱!

发送取消