| 制造商编号 | BUK6D38-30EX |
|---|---|
| 商品别名 | BUK6D38-30E |
| 制 造 商 |
Nexperia(安世)
授权代理品牌
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| 唯样编号 | A-BUK6D38-30EX |
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
MOSFET N-CH 30V 5.5A/17A 6DFN 翻译
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| 封装/外壳 | SOT1220 | |
| FET类型 | N-Channel | |
| Rds On(max)@Id,Vgs | 54mΩ@4.5V,38mΩ@10V | |
| Pd-功率耗散(Max) | 19W | |
| 工作温度 | 175°C | |
| 栅极电压Vgs | 1.5V,20V | |
| 漏源极电压Vds | 30V | |
| 输入电容 | 266pF | |
| 输出电容 | 70pF | |
| 连续漏极电流Id | 17A | |
| 产品特性 | 车规 |
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
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暂无价格 |
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最小包：3,000
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期：
请咨询客服
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| 起订量： 3,000 | 倍数：1 |
高性能 NPN型电阻内置晶体管，专为简化电路设计并提升系统可靠性而开发
8位串行或并行输入/串行输出移位寄存器，可用于从高电平到低电平的转换应用
低电压CMOS器件，与74HC/HCT4052引脚和功能兼容
具有三态输出的单位双电源收发器，可实现双向电平转换
低反向电流、低正向电压和最低Qrr，可在高环境温度下实现最佳效率
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| GP3139 | 240,000 |
| BUK7K6R2-40EX | 193,500 |
| IRF4905STRLPBF | 63,200 |
| BUK9832-55A/CUX | 44,000 |
| IRFZ24NPBF | 35,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
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BUK6D38-30EX | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT1220 N-Channel 19W 175°C 1.5V,20V 30V 17A 车规 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||||
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RF4E070BNTR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel ±20V 2W(Ta) 28.6mΩ@7A,10V 150°C(TJ) HUML2020L8 30V 7A |
￥2.5586
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3,000 | 对比 | ||||||||||||||
;;6.jpg)
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RF4E080GNTR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
8A 2W 17.6mΩ 30V 2.5V DFN2020-8 N-Channel -55°C~150°C |
￥2.8173
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2,597 | 对比 | ||||||||||||||
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RF4E110GNTR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
11A 2W 11.3mΩ@11A,10V 30V ±20V DFN2020-8 N-Channel -55°C~150°C |
￥4.4175
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2,490 | 对比 | ||||||||||||||
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RF4E070GNTR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2W(Ta) 21.4mΩ@7A,10V 150°C(TJ) HUML N-Channel 30V 7A |
￥2.7215
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2,040 | 对比 | ||||||||||||||
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RF4E080GNTR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
8A 2W 17.6mΩ 30V 2.5V DFN2020-8 N-Channel -55°C~150°C |
暂无价格 | 200 | 对比 |
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