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参数有误?
参数 | 参数值 | 操作 |
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商品目录 | 功率MOSFET | |
封装/外壳 | SO-8 | |
FET类型 | N-Channel | |
漏源极电压Vds | 60V | |
栅极电压Vgs | ±20V | |
连续漏极电流Id | 11A | |
Pd-功率耗散(Max) | 3.1W | |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 13.5mΩ@11A,10V | |
Rds On(Max)@4.5V | 18mΩ | |
VGS(th) | 2.2 | |
Ciss(pF) | 755 | |
Coss(pF) | 220 | |
Crss(pF) | 20 | |
Qg*(nC) | 6.5 | |
Qgd(nC) | 3 | |
Trr(ns) | 15 | |
Qrr(nC) | 45 | |
工作温度 | -55℃~150℃ |
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AO4266E
严选库存:53
价格梯度 | 单价(含税) |
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暂无价格 |
最小包:3,000
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务,因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少,如果要购买整盘,建议购买这个数量的整数倍
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交期: 请咨询客服 |
用于锂电池的保护,具有低Rdson,可快速充电及延长电池寿命
具有低 RDS(ON),逻辑电平栅极驱动,ESD 保护等特点
功率MOSFET 30V P-Channel DFN3*3封装
提供高效同步降压功率级,具有最佳布局和电路板空间利用率
60V 采用先进的沟槽技术,可提供低至 40 mΩ 的出色 RDS(ON).
制造商编号 | 最近销量(PCS) |
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AO3401A | 288,000 |
PJD50P04-AU_L2_000A1 | 114,000 |
S-LP2408LT1G | 102,050 |
PJA3441_R1_00001 | 69,000 |
PSMN6R0-30YLDX | 24,000 |
图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
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AO4266E | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 60V ±20V 11A 3.1W 13.5mΩ@11A,10V -55℃~150℃ |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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AO4438 | AOS | 功率MOSFET |
8.2A(Ta) N-Channel ±20V 22 mΩ @ 8.2A,10V 8-SOIC 3.1W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 60V |
暂无价格 | 0 | 对比 | |
![]() |
AO4266 | AOS | 功率MOSFET |
10A(Ta) N-Channel ±20V 15 mΩ @ 10A,10V 8-SO 3.1W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 60V |
暂无价格 | 0 | 对比 | |
![]() |
AO4438_101 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
8.2A(Ta) N-Channel ±20V 22 mΩ @ 8.2A,10V 8-SO 3.1W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 60V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
![]() |
AO4440 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
5A(Ta) N-Channel ±20V 55 mΩ @ 5A,10V 8-SOIC 2.5W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 60V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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AO4440L | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
5A(Ta) N-Channel ±20V 55 mΩ @ 5A,10V 8-SO 2.5W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 60V |
暂无价格 | 0 | 对比 |