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参数有误?
参数 | 参数值 | 操作 |
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商品目录 | 功率MOSFET | |
封装/外壳 | SO-8 | |
FET类型 | N-Channel | |
漏源极电压Vds | 30V | |
栅极电压Vgs | ±20V | |
连续漏极电流Id | 20A | |
Pd-功率耗散(Max) | 3.1W | |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 5.8mΩ@20A,10V | |
Rds On(Max)@4.5V | 9.8mΩ | |
VGS(th) | 2.2 | |
Ciss(pF) | 1037 | |
Coss(pF) | 441 | |
Crss(pF) | 61 | |
Qg*(nC) | 6.8 | |
Qgd(nC) | 3.6 | |
Td(on)(ns) | 5.5 | |
Td(off)(ns) | 18 | |
Trr(ns) | 12.7 | |
Qrr(nC) | 17.2 | |
工作温度 | -55℃~150℃ |
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价格梯度 | 单价(含税) |
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暂无价格 |
最小包:3,000
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务,因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少,如果要购买整盘,建议购买这个数量的整数倍
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交期: 请咨询客服 |
用于锂电池的保护,具有低Rdson,可快速充电及延长电池寿命
具有低 RDS(ON),逻辑电平栅极驱动,ESD 保护等特点
功率MOSFET 30V P-Channel DFN3*3封装
提供高效同步降压功率级,具有最佳布局和电路板空间利用率
60V 采用先进的沟槽技术,可提供低至 40 mΩ 的出色 RDS(ON).
制造商编号 | 最近销量(PCS) |
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AO3401A | 345,000 |
S-LP2408LT1G | 102,105 |
PJA3441_R1_00001 | 69,000 |
JMPL1050AG-13 | 20,000 |
NCEP092N10AS | 16,000 |
图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
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AO4576 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V ±20V 20A 3.1W 5.8mΩ@20A,10V -55℃~150℃ |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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DMN3007LSS-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.5W(Ta) 7mΩ@15A,10V -55°C~150°C(TJ) SOP N-Channel 30V 16A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
![]() |
AO4492 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V 20V 14A 3.1W 9.5mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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DMN3007LSS-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.5W(Ta) 7mΩ@15A,10V -55°C~150°C(TJ) SOP N-Channel 30V 16A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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AO4492 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V 20V 14A 3.1W 9.5mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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AO4304 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
18A(Ta) N-Channel ±20V 6 mΩ @ 15A,10V 8-SOIC 3.6W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 30V |
暂无价格 | 0 | 对比 |