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参数有误?
参数 | 参数值 | 操作 |
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商品目录 | 功率MOSFET | |
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 18V | |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 4.4mA | |
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 106nC @ 18V | |
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | 2080pF @ 800V | |
栅极电压Vgs | +22V,-6V | |
Pd-功率耗散(Max) | 262W(Tc) | |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 117mΩ@10A,18V | |
工作温度 | 175°C(TJ) | |
封装/外壳 | TO-247 | |
FET类型 | N-Channel | |
漏源极电压Vds | 1200V | |
连续漏极电流Id | 35A |
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承受10us短路时间,低集电极-发射极饱和电压,内置快速恢复二极管(FRD)
低开关损耗且高速开关工作,它被广泛用于电源的PFC电路中
低集电极和发射极饱和电压,内置非常快速和软恢复的 FRD
24个通道的恒流驱动芯片,每个通道都能提供最大1A的输出电流
具有60V漏源电压(VDSS)和±15.5A连续漏极电流,适用开关、电机驱动器和直流/直流转换器
制造商编号 | 最近销量(PCS) |
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AO3401A | 276,000 |
PJA3441_R1_00001 | 141,000 |
PJD16P06A-AU_L2_000A1 | 42,000 |
NCEP039N10D | 24,000 |
NCE6012AS | 20,000 |