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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | SIC MOSFET | |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 18V | |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4V @ 4.4mA | |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 106nC @ 18V | |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 2080pF @ 800V | |
| 栅极电压Vgs | +22V,-6V | |
| Pd-功率耗散(Max) | 262W(Tc) | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 117mΩ@10A,18V | |
| 工作温度 | 175°C(TJ) | |
| 封装/外壳 | TO-247 | |
| FET类型 | N-Channel | |
| 漏源极电压Vds | 1200V | |
| 连续漏极电流Id | 35A |
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低开关损耗，低导通电阻，小型芯片尺寸，实现了更低的电容和栅极电荷
2-line且双向的ESD（静电放电）保护，保护水平高达±30 kV
承受10us短路时间，低集电极-发射极饱和电压，内置快速恢复二极管（FRD）
低开关损耗且高速开关工作，它被广泛用于电源的PFC电路中
低集电极和发射极饱和电压，内置非常快速和软恢复的 FRD
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| IV3Q12035T4Z | 557 |
| IV2Q171R0T3 | 530 |
| IV3Q12013T4Z | 522 |
| IV2Q12030T4Z | 441 |
| IV1Q12080T4Z | 398 |
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