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功率MOSFET   HUML2020L8

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制造商编号 UT6K3TCR
制 造 商 ROHM(罗姆)  
授权代理品牌
唯样编号 A-UT6K3TCR
供货
产品周期

量产中

无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
FET类型:2N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:5.5A Rds On(Max)@Id,Vgs:42mΩ@5A,4.5V Pd-功率耗散(Max):2W
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参数 参数值 操作
商品目录 功率MOSFET
FET类型 2N-Channel
漏源极电压Vds 30V
连续漏极电流Id 5.5A
Rds On(Max)@Id,Vgs 42mΩ@5A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 4nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 450pF @ 15V
Pd-功率耗散(Max) 2W
工作温度 -55°C~150°C
封装/外壳 HUML2020L8
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价格梯度 单价(含税)
460+ ¥3.5221
1,500+ ¥2.233

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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
UT6K3TCR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HUML2020L8

¥3.5221 

阶梯数 价格
460: ¥3.5221
1,500: ¥2.233
3,000: ¥1.6145
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¥2.01 

阶梯数 价格
10: ¥2.01
100: ¥1.4889
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