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参数有误?
参数 | 参数值 | 操作 |
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商品目录 | 功率MOSFET | |
FET类型 | N-Channel | |
漏源极电压Vds | 30V | |
连续漏极电流Id | 39A(Tc) | |
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 4.5V,10V | |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 1mA | |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 37nC @ 4.5V | |
栅极电压Vgs | ±20V | |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 3500pF @ 15V | |
Pd-功率耗散(Max) | 2W(Ta),20W(Tc) | |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 3.9mΩ@18A,10V | |
工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | |
封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
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价格梯度 | 单价(含税) |
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整包(请按3000的倍数下单) |
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3,000 + | ¥1.3896 |
¥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价:¥1.3896 总价:¥4,168.8 |
购买数量不足MPQ时,均为剪切带或散料出货。
最小包:3,000
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务,因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少,如果要购买整盘,建议购买这个数量的整数倍
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交期: 请咨询客服 |
起订量:3,000 | 倍数:3,000 |
专为汽车应用设计的电流检测放大器,适用于高精度电流监测场景
低开关损耗,低导通电阻,小型芯片尺寸,实现了更低的电容和栅极电荷
承受10us短路时间,低集电极-发射极饱和电压,内置快速恢复二极管(FRD)
低集电极和发射极饱和电压,内置非常快速和软恢复的 FRD
24个通道的恒流驱动芯片,每个通道都能提供最大1A的输出电流
制造商编号 | 最近销量(PCS) |
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AO3401A | 288,000 |
PJD50P04-AU_L2_000A1 | 114,000 |
S-LP2408LT1G | 102,050 |
PJA3441_R1_00001 | 69,000 |
PSMN6R0-30YLDX | 24,000 |
图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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RQ3E180BNTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 30V 39A(Tc) ±20V 2W(Ta),20W(Tc) 3.9mΩ@18A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-PowerVDFN |
¥1.3896
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0 | 当前型号 | ||||||||||||
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AON7516 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 3x3 EP N-Channel 30V 20V 30A 25W 4.5mΩ@10V |
¥1.441
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18,786 | 对比 | ||||||||||||
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AON7534 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 3x3 EP N-Channel 30V ±20V 30A 23W 5mΩ@20A,10V -55°C~150°C |
¥1.232
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5,637 | 对比 | ||||||||||||
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AON6362 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 5x6 N-Channel 31W 5.2mΩ@20A,10V -55°C~150℃ ±20V 30V 60A |
¥3.8462
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2,987 | 对比 | ||||||||||||
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AON6576 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 5x6 N-Channel 30V ±20V 32A 26W 4.7mΩ@20A,10V -55°C~150°C |
¥0.9383
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1,670 | 对比 | ||||||||||||
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AON6576 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 5x6 N-Channel 30V ±20V 32A 26W 4.7mΩ@20A,10V -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 |