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参数有误?
参数 | 参数值 | 操作 |
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商品目录 | 小信号MOSFET | |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 2.4Ω@250mA,10V | |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.3V @ 1mA | |
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | 15pF @ 25V | |
Pd-功率耗散(Max) | 150mW | |
工作温度 | 150°C(TJ) | |
封装/外壳 | UMT | |
FET类型 | N-Channel | |
漏源极电压Vds | 60V | |
连续漏极电流Id | 0.25A | |
栅极电压Vgs | ±20V |
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价格梯度 | 单价(含税) |
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暂无价格 |
最小包:3,000
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务,因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少,如果要购买整盘,建议购买这个数量的整数倍
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交期: 请咨询客服 |
专为汽车应用设计的电流检测放大器,适用于高精度电流监测场景
低开关损耗,低导通电阻,小型芯片尺寸,实现了更低的电容和栅极电荷
承受10us短路时间,低集电极-发射极饱和电压,内置快速恢复二极管(FRD)
低集电极和发射极饱和电压,内置非常快速和软恢复的 FRD
24个通道的恒流驱动芯片,每个通道都能提供最大1A的输出电流
制造商编号 | 最近销量(PCS) |
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PMZB200UNEYL | 15,500 |
2N7002HR | 12,000 |
S-L2N7002SLT1G | 10,000 |
LMN2500N3T5G | 10,000 |
RV2C014BCT2CL | 8,000 |
图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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UM6K31NTN | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
2.4Ω@250mA,10V 150mW 150°C(TJ) UMT N-Channel 60V 0.25A ±20V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||
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2N7002BKS,115 | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
2N7002BKS_SOT363 N-Channel 0.445W 150℃ 1.6V 60V 0.3A |
¥0.4849
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36,848 | 对比 | ||||||||||||
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UM6K1NTN | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
2N-Channel 100mA 8Ω@10mA,4V 150mW 150°C(TJ) UMT N-Channel 30V 0.1A ±20V |
¥0.6292
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22,938 | 对比 | ||||||||||||
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2N7002BKS,115 | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
2N7002BKS_SOT363 N-Channel 0.445W 150℃ 1.6V 60V 0.3A |
¥0.6076
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10,880 | 对比 | ||||||||||||
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DMN601DWK-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
2N-Channel SOT-363 -65℃~150℃(TJ) 60V 305mA |
¥0.4251
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5,519 | 对比 | ||||||||||||
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2N7002PS,115 | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
2N7002PS_SOT363 N-Channel 1.6Ω@500mA,10V 0.42W -55°C~150°C ±20V 60V 0.32A |
¥0.5629
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1,522 | 对比 |