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封装/外壳

工作温度

连续漏极电流Id

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商品
描述
关键参数
单价(含税)
库存
RUM001L02T2CL
自营
小信号MOSFET

RUM001L02 Series 20 V 3.5 Ohm 100 mA N-Ch. Small Signal Mosfet - SOT-723 (VMT3)

量产中

封装/外壳 : VMT

FET类型 : N-Channel

工作温度 : 150°C(TJ)

栅极电压Vgs : ±8V

漏源极电压Vds : 20V

连续漏极电流Id : 0.1A

Pd-功率耗散(Max) : 150mW(Ta)

Rds On(Max)@Id,Vgs : 3.5Ω@100mA,4.5V

找替代
1+:¥0.4678
100+:¥0.2498
8,000+:¥0.1806

库存:15,865

MPQ:8,000

交期:3天-5天

RK7002BMT116
自营
小信号MOSFET

SOT-23 N-Channel 150°C(TJ) ±20V 60V 0.25A 200mW(Ta) 2.4Ω@250mA,10V

量产中

封装/外壳 : SOT-23

FET类型 : N-Channel

工作温度 : 150°C(TJ)

栅极电压Vgs : ±20V

漏源极电压Vds : 60V

连续漏极电流Id : 0.25A

Pd-功率耗散(Max) : 200mW(Ta)

Rds On(Max)@Id,Vgs : 2.4Ω@250mA,10V

找替代
1+:¥0.5261
100+:¥0.2809
3,000+:¥0.2031

库存:13,946

MPQ:3,000

交期:3天-5天

RV1C002UNT2CL
自营
小信号MOSFET

RV1C002UN Series 20 V 150 mA 2 Ohm Surface Mount Small Signal Mosfet - VML0806

量产中

封装/外壳 : VML

FET类型 : P-Channel

工作温度 : 150°C(TJ)

栅极电压Vgs : ±8V

漏源极电压Vds : 20V

连续漏极电流Id : 0.15A

Pd-功率耗散(Max) : 100mW(Ta)

Rds On(Max)@Id,Vgs : 2Ω@150mA,4.5V

1+:¥0.9757
100+:¥0.5210
8,000+:¥0.3767

库存:11,901

MPQ:8,000

交期:3天-5天

RUM002N05T2L
自营
小信号MOSFET

RUM002N05 Series 50 V 2.2 Ohm Surface Mount Silicon N-Channel MOSFET - VMT-3

量产中

封装/外壳 : VMT

FET类型 : N-Channel

工作温度 : 150°C(TJ)

栅极电压Vgs : ±8V

漏源极电压Vds : 50V

连续漏极电流Id : 0.2A

Pd-功率耗散(Max) : 150mW(Ta)

Rds On(Max)@Id,Vgs : 2.2Ω@200mA,4.5V

1+:¥1.0715
100+:¥0.5722
8,000+:¥0.4137

库存:7,600

MPQ:8,000

交期:3天-5天

QS6K1TR
自营
功率MOSFET

N-Channel + N-Channel 1.25 W 30 V 364 mOhm 2.4 nC SMT 2.5 V Drive MosFet -TSMT-6

量产中

封装/外壳 : TSMT

FET类型 : N-Channel

工作温度 : 150°C(TJ)

漏源极电压Vds : 30V

连续漏极电流Id : 1A

Rds On(Max)@Id,Vgs : 238mΩ@1A,4.5V

Pd-功率耗散(Max) : 1.25W

1+:¥4.6927
100+:¥2.7124
1,500+:¥1.7197
3,000+:¥1.2433

库存:4,478

MPQ:3,000

交期:3天-5天

RUM002N02T2L
自营
小信号MOSFET

RUM002N02 Series 20 V 1.2 Ohm 200 mA Surface Mount N-Channel MOSFET - VMT-3

量产中

封装/外壳 : VMT

FET类型 : N-Channel

工作温度 : 150°C(TJ)

栅极电压Vgs : ±8V

漏源极电压Vds : 20V

连续漏极电流Id : 0.2A

Pd-功率耗散(Max) : 150mW(Ta)

Rds On(Max)@Id,Vgs : 1.2Ω@200mA,2.5V

1+:¥0.6991
100+:¥0.3733
8,000+:¥0.2699

库存:3,940

MPQ:8,000

交期:3天-5天

QS6J11TR
自营
通用MOSFET

TSMT-6 P-Channel -55°C~150°C ±10V -12V 2A 105mΩ@-2A,-4.5V 600mW

量产中

封装/外壳 : TSMT-6

FET类型 : P-Channel

工作温度 : -55°C~150°C

栅极电压Vgs : ±10V

漏源极电压Vds : -12V

连续漏极电流Id : 2A

Rds On(Max)@Id,Vgs : 105mΩ@-2A,-4.5V

Pd-功率耗散(Max) : 600mW

1+:¥5.7814
100+:¥3.2780
1,500+:¥2.0783
3,000+:¥1.5483

库存:3,000

MPQ:3,000

交期:3天-5天

小信号MOSFET

Pch -60V -0.21A, SOT-323, Small Signal MOSFET for Automotive

量产中

封装/外壳 : UMT3

FET类型 : P-Channel

漏源极电压Vds : -60V

连续漏极电流Id : -0.21A

产品特性 : 车规

1+:¥1.9095
1,000+:¥0.9777
3,000+:¥0.6942

库存:3,000

MPQ:3,000

交期:3天-5天

RQ3E080BNTB
自营
功率MOSFET

8-PowerVDFN N-Channel 150°C(TJ) ±20V 30V 8A(Ta) 2W(Ta) 15.2mΩ@8A,10V

量产中

封装/外壳 : 8-PowerVDFN

FET类型 : N-Channel

工作温度 : 150°C(TJ)

栅极电压Vgs : ±20V

漏源极电压Vds : 30V

连续漏极电流Id : 8A(Ta)

Pd-功率耗散(Max) : 2W(Ta)

Rds On(Max)@Id,Vgs : 15.2mΩ@8A,10V

找替代
1+:¥4.7923
100+:¥2.7700
1,500+:¥1.7562
3,000+:¥1.2697

库存:2,745

MPQ:3,000

交期:3天-5天

SH8K32TB1
自营
通用MOSFET

MOSFET 2N-CH 60V 4.5A SOP8

量产中(新设计非推荐)

封装/外壳 : 8-SOIC

FET类型 : 2N-Channel

工作温度 : 150℃(TJ)

栅极电压Vgs : ±20V

漏源极电压Vds : 60V

连续漏极电流Id : 4.5A

Rds On(Max)@Id,Vgs : 65mΩ@4.5A,10V

Pd-功率耗散(Max) : 2W

找替代
1+:¥13.8916
1,000+:¥7.1125
2,500+:¥5.0499

库存:2,500

MPQ:2,500

交期:3天-5天

SH8K26GZ0TB1
自营
通用MOSFET

40V Nch+Nch Power MOSFET

量产中(新设计非推荐)

封装/外壳 : SOP-8

FET类型 : N-Channel

工作温度 : -55°C~150°C

栅极电压Vgs : ±12V

漏源极电压Vds : 40V

连续漏极电流Id : 6A

Pd-功率耗散(Max) : 2W

Rds On(Max)@Id,Vgs : 50mΩ@6A,4.5V

1+:¥7.7828
1,000+:¥3.9848
2,500+:¥2.8292

库存:2,495

MPQ:2,500

交期:3天-5天

SH8K25GZ0TB1
自营
功率MOSFET

40V Nch+Nch Power MOSFET

量产中(新设计非推荐)

封装/外壳 : SOP8

FET类型 : N-Channel

工作温度 : -55°C~150°C

栅极电压Vgs : ±12V

漏源极电压Vds : 40V

连续漏极电流Id : 5.2A

Pd-功率耗散(Max) : 3W

Rds On(Max)@Id,Vgs : 112mΩ@4A,4.5V

1+:¥7.1367
1,000+:¥3.6540
2,500+:¥2.5943

库存:2,465

MPQ:2,500

交期:3天-5天

RU1C001ZPTL
自营
小信号MOSFET

SC-85 P-Channel -55°C~150°C ±10V 20V 100mA(Ta) 150mW(Ta) 3.8Ω@100mA,4.5V

量产中

封装/外壳 : SC-85

FET类型 : P-Channel

工作温度 : -55°C~150°C

栅极电压Vgs : ±10V

漏源极电压Vds : 20V

连续漏极电流Id : 100mA(Ta)

Pd-功率耗散(Max) : 150mW(Ta)

Rds On(Max)@Id,Vgs : 3.8Ω@100mA,4.5V

1+:¥0.8703
100+:¥0.5030
1,500+:¥0.3189
3,000+:¥0.2306

库存:1,720

MPQ:3,000

交期:3天-5天

RSJ650N10TL
自营
功率MOSFET

TO-263-3 N-Channel -55℃~150℃ ±20V 100V 65A 9.1mΩ@32.5A,10V 100W

量产中

封装/外壳 : TO-263-3

FET类型 : N-Channel

工作温度 : -55℃~150℃

栅极电压Vgs : ±20V

漏源极电压Vds : 100V

连续漏极电流Id : 65A

Rds On(Max)@Id,Vgs : 9.1mΩ@32.5A,10V

Pd-功率耗散(Max) : 100W

找替代
1+:¥45.4704
100+:¥26.2819
1,000+:¥16.6627

库存:998

MPQ:1,000

交期:3天-5天

R6004ENX
自营
功率MOSFET

TO-220FP-3 N-Channel -55°C~150°C 2V 600V 4A 40W 900mΩ

量产中

封装/外壳 : TO-220FP-3

FET类型 : N-Channel

工作温度 : -55°C~150°C

栅极电压Vgs : 2V

漏源极电压Vds : 600V

连续漏极电流Id : 4A

Pd-功率耗散(Max) : 40W

Rds On(Max)@Id,Vgs : 900mΩ

找替代
1+:¥11.0736
100+:¥6.4006
500+:¥4.0580

库存:500

MPQ:500

交期:3天-5天

R6020ENX
自营
功率MOSFET

TO-220-3 N-Channel 150°C(TJ) ±20V 600V 20A(Tc) 50W(Tc) 196mΩ@10A,10V

量产中

封装/外壳 : TO-220-3

FET类型 : N-Channel

工作温度 : 150°C(TJ)

栅极电压Vgs : ±20V

漏源极电压Vds : 600V

连续漏极电流Id : 20A(Tc)

Pd-功率耗散(Max) : 50W(Tc)

Rds On(Max)@Id,Vgs : 196mΩ@10A,10V

找替代
1+:¥25.9989
100+:¥13.8834
500+:¥10.0377

库存:500

MPQ:500

交期:3天-5天

R6020KNX
自营
功率MOSFET

TO-220-3 N-Channel -55°C~150°C(TJ) ±20V 600V 20A(Tc) 68W(Tc) 196mΩ@9.5A,10V

量产中

封装/外壳 : TO-220-3

FET类型 : N-Channel

工作温度 : -55°C~150°C(TJ)

栅极电压Vgs : ±20V

漏源极电压Vds : 600V

连续漏极电流Id : 20A(Tc)

Pd-功率耗散(Max) : 68W(Tc)

Rds On(Max)@Id,Vgs : 196mΩ@9.5A,10V

找替代
1+:¥33.0616
100+:¥19.1096
500+:¥12.1155

库存:500

MPQ:500

交期:3天-5天

R6030KNX
自营
功率MOSFET

TO-220-3 N-Channel -55°C~150°C(TJ) ±20V 600V 30A(Tc) 86W(Tc) 130mΩ@14.5A,10V

量产中

封装/外壳 : TO-220-3

FET类型 : N-Channel

工作温度 : -55°C~150°C(TJ)

栅极电压Vgs : ±20V

漏源极电压Vds : 600V

连续漏极电流Id : 30A(Tc)

Pd-功率耗散(Max) : 86W(Tc)

Rds On(Max)@Id,Vgs : 130mΩ@14.5A,10V

找替代
1+:¥49.3473
100+:¥28.5228
1,000+:¥18.0834

库存:495

MPQ:1,000

交期:3天-5天

R6011ENX
自营
功率MOSFET

TO-220-3 N-Channel 150°C(TJ) ±20V 600V 11A 40W 390mΩ@3.8A,10V

量产中

封装/外壳 : TO-220-3

FET类型 : N-Channel

工作温度 : 150°C(TJ)

栅极电压Vgs : ±20V

漏源极电压Vds : 600V

连续漏极电流Id : 11A

Pd-功率耗散(Max) : 40W

Rds On(Max)@Id,Vgs : 390mΩ@3.8A,10V

找替代
1+:¥20.7047
100+:¥11.0563
500+:¥7.9937

库存:486

MPQ:500

交期:3天-5天

R6076ENZ1C9
自营
功率MOSFET

TO-247 N-Channel 150°C(TJ) ±20V 600V 76A 120W(Tc) 42mΩ@44.4A,10V

已停产

封装/外壳 : TO-247

FET类型 : N-Channel

工作温度 : 150°C(TJ)

栅极电压Vgs : ±20V

漏源极电压Vds : 600V

连续漏极电流Id : 76A

Pd-功率耗散(Max) : 120W(Tc)

Rds On(Max)@Id,Vgs : 42mΩ@44.4A,10V

1+:¥179.0578
100+:¥103.4954
450+:¥65.6161

库存:450

MPQ:450

交期:3天-5天

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