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承受10us短路时间,低集电极-发射极饱和电压,内置快速恢复二极管(FRD)
低集电极和发射极饱和电压,内置非常快速和软恢复的 FRD
低饱和压降VCEsat,低开关损耗以及高电流密度
车规级650V IGBT 内置SiC SBD 高速快速开关
采用TrenchStop™和Fieldstop技术,可提供卓越的开关性能
Infineon Technologies TRENCHSTOP™ RC-H5 1200V/1350V IGBT开发和优化用于满足感应烹饪应用的严格要求。