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提供高效同步降压功率级,具有最佳布局和电路板空间利用率
ESD 保护典型值达 800V,且 RDS(on) 在 10V VGS 时仅 0.15Ω ,在 4.5V 时仅 0.20Ω
采用新型N和P通道器件,击穿电压高达450V
60V 采用先进的沟槽技术,可提供低至 40 mΩ 的出色 RDS(ON).
ROHM N沟道SiC功率MOSFET具有低导通电阻和紧凑的芯片尺寸可确保电容和栅极电荷较低,开关速度快,导通损耗小。