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ROHM RH6/RS6系列N-CH功率MOSFET

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低导通电阻,高功率,小尺寸封装

为使工业设备及电机装置等设备更加高效运行,ROHM 推出可进一步减少功率损耗的RH6/RS6系列N沟道功率MOSFET,该系列具有低导通电阻RDS(ON)和高功率,以及超小型HSOP8/HSMT8封装等特点,非常适合用作电路中的开关元件。

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特性:

  • 低导通电阻

  • 小型封装:HSOP8(5.0*6.0*1.0mm);HSMT8(3.3*3.3*0.8mm)

  • VDS电压范围:40V~150V

  • 工作温度:-55℃~150℃

  • 连续漏极电流ID范围:25A~120A

应用领域:

基站,服务器电源,电机驱动,工业和消费设备等

ROHM RH6/RS6系列N-CH功率MOSFET

图片
制造商零件编号
描述
可供货数量
操作
Nch 100V 40A, HSMT8, Power MOSFET
0
Nch 150V 25A, HSMT8, Power MOSFET
0
Nch 40V 100A, HSOP8, Power MOSFET
0
Nch 60V 90A, HSOP8, Power MOSFET
99
Nch 60V 150A, HSOP8, Power MOSFET
97
Nch 100V 60A, HSOP8, Power MOSFET
100
Nch 100V 100A, HSOP8, Power MOSFET
0
Nch 150V 35A, HSOP8, Power MOSFET
100

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