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DMN2400UFD-7  与  AO5404E_001  区别

型号 DMN2400UFD-7 AO5404E_001
唯样编号 A-DMN2400UFD-7 A-AO5404E_001
制造商 Diodes Incorporated AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 600mΩ@200mA,4.5V 550 mΩ @ 500mA,4.5V
漏源极电压Vds 20V 20V
Pd-功率耗散(Max) 400mW(Ta) 280mW(Ta)
栅极电压Vgs ±12V ±8V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 X1-DFN SC-89-3
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 0.9A 500mA(Ta)
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 37pF @ 16V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 500nC @ 4.5V -
栅极电荷Qg - 1nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 1.5V,4.5V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN2400UFD-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

X1-DFN

暂无价格 0 当前型号
AO5404E_001 AOS  数据手册 功率MOSFET

SC-89-3

暂无价格 0 对比

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