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SI4401BDY-T1-GE3  与  AO4485_102  区别

型号 SI4401BDY-T1-GE3 AO4485_102
唯样编号 A36-SI4401BDY-T1-GE3 A-AO4485_102
制造商 Vishay AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 14mΩ 15 mΩ @ 10A,10V
漏源极电压Vds 40V 40V
Pd-功率耗散(Max) 2.9W 1.7W(Ta)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 SOIC-8 8-SO
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 8.7A 10A(Ta)
系列 SI -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 55nC @ 5V -
电压 40V -
栅极电荷Qg - 55.4nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
库存与单价
库存 41 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
9+ :  ¥5.984
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI4401BDY-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

±20V -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 P-Channel 40V 8.7A 14mΩ 2.9W

¥5.984 

阶梯数 价格
9: ¥5.984
41 当前型号
AO4485_102 AOS  数据手册 功率MOSFET

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