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IRF7807ZTRPBF  与  AO4710L_101  区别

型号 IRF7807ZTRPBF AO4710L_101
唯样编号 A3-IRF7807ZTRPBF A-AO4710L_101
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 30 V 18.2 mOhm 11 nC 2.5 W Silicon SMT Mosfet - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 13.8mΩ@11A,10V 11.8 mΩ @ 12.7A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta) 3.1W(Ta)
栅极电压Vgs ±20V ±12V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 8-SO 8-SOIC
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 11A 12.7A(Ta)
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.25V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 770pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 11nC @ 4.5V -
栅极电荷Qg - 43nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.25V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 770pF @ 15V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 11nC @ 4.5V -
库存与单价
库存 4,000 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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