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DMN53D0LDW-13  与  PJT138K_R1_00001  区别

型号 DMN53D0LDW-13 PJT138K_R1_00001
唯样编号 A-DMN53D0LDW-13 A-PJT138K_R1_00001
制造商 Diodes Incorporated Panjit
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT363
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 SOT-363 SOT-363
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 360mA 360mA
Rds On(Max)@Id,Vgs - 1.6Ω@500mA,10V
漏源极电压Vds 50V 50V
Pd-功率耗散(Max) - 236mW
RdsOn(Max)@Id,Vgs 1.6Ω@500mA,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 46pF @ 25V -
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 2N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 0.6nC @ 4.5V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN53D0LDW-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

SOT-363

暂无价格 0 当前型号
PJT138K_R1_00001 Panjit  数据手册 通用MOSFET

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