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SQJ840EP-T1_GE3  与  PSMN011-30YLC,115  区别

型号 SQJ840EP-T1_GE3 PSMN011-30YLC,115
唯样编号 A-SQJ840EP-T1_GE3 A-PSMN011-30YLC,115
制造商 Vishay Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET MOSFET N-CH 30V 37A LFPAK56
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 9.3mΩ -
漏源极电压Vds 30V 30V
产品特性 车规 -
Pd-功率耗散(Max) 46W(Tc) 29W
输出电容 - 146pF
栅极电压Vgs ±20V 1.57V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOIC-8 SOT669
工作温度 -55°C~175°C(TJ) 175℃
连续漏极电流Id 30A 37A
系列 SQJ -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1900pF @ 15V -
输入电容 - 641pF
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 38nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
Rds On(max)@Id,Vgs - 14.5mΩ@4.5V,11.6mΩ@10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格
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750+ :  ¥1.517
1,500+ :  ¥1.3917
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380: ¥1.8507
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阶梯数 价格
300: ¥7.8922
750: ¥5.6778
1,500: ¥4.654
0 对比

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