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RRH100P03TB1  与  AO4435L_103  区别

型号 RRH100P03TB1 AO4435L_103
唯样编号 A-RRH100P03TB1 A-AO4435L_103
制造商 ROHM Semiconductor AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET P-CH 30V 10A 8SOP
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 650mW(Ta) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 14 mΩ @ 11A,20V
漏源极电压Vds - 30V
Pd-功率耗散(Max) - 3.1W(Ta)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 3600pF @ 10V -
栅极电压Vgs - ±25V
FET类型 P 通道 P-Channel
封装/外壳 8-SOP 8-SOIC
工作温度 150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA -
连续漏极电流Id - 10.5A(Ta)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 12.6 毫欧 @ 10A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
栅极电荷Qg - 24nC @ 10V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4V,10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 10A(Ta) -
漏源电压(Vdss) 30V -
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) 39nC @ 5V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RRH100P03TB1 ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

8-SOP

暂无价格 0 当前型号
DMP3020LSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

SOP

¥1.617 

阶梯数 价格
40: ¥1.617
100: ¥1.243
1,250: ¥1.0571
2,500: ¥0.8954
2,500 对比
DMP3020LSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

SOP

暂无价格 0 对比
AO4435L_103 AOS 功率MOSFET

8-SOIC

暂无价格 0 对比
DMP3020LSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

SOP

暂无价格 0 对比
62-0218PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

暂无价格 0 对比

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