首页 > 商品目录 > > > > BUK7880-55A/CUX代替型号比较

BUK7880-55A/CUX  与  IRFL024NTRPBF  区别

型号 BUK7880-55A/CUX IRFL024NTRPBF
唯样编号 A-BUK7880-55A/CUX A-IRFL024NTRPBF
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 55V 7A SOT223 Single N-Channel 55 V 0.075 Ohm 18.3 nC 2.1 W Surface Mount Mosfet - SOT-223
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 75mΩ@2.8A,10V
漏源极电压Vds 55V 55V
Pd-功率耗散(Max) 8W 1W(Ta)
输出电容 92pF -
栅极电压Vgs ±20V ±20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 10V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT223 SOT-223
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 7A 4A
系列 - HEXFET®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 25V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
输入电容 374pF -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 400pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 18.3nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
Rds On(max)@Id,Vgs 80mΩ@10A,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 400pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 18.3nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
260+ :  ¥1.4292
500+ :  ¥1.2112
1,000+ :  ¥1.1112
暂无价格
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BUK7880-55A/CUX Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK7880-55A/CU_SOT223 N-Channel 8W -55°C~150°C ±20V 55V 7A

¥1.4292 

阶梯数 价格
260: ¥1.4292
500: ¥1.2112
1,000: ¥1.1112
0 当前型号
IRFL024NTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 1W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 75mΩ@2.8A,10V N-Channel 55V 4A SOT-223

暂无价格 0 对比
IRFL024N Infineon  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 55V 2.8A(Ta) ±20V 1W(Ta) 75mΩ@2.8A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT223

暂无价格 0 对比
IRFL024NPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

N 通道 TO-261-4,TO-261AA -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售

Tips
Your browser language is English. Do you want to browse the English Website?
YESNO

我们会将数据手册发送到您的邮箱!

发送取消