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PJA3440_R1_00001  与  IRLML0040TRPBF  区别

型号 PJA3440_R1_00001 IRLML0040TRPBF
唯样编号 A-PJA3440_R1_00001 A-IRLML0040TRPBF
制造商 Panjit Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 40 V 78 mOhm 3.9 nC 1.3 W Silicon SMT Mosfet - SOT-23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 56mΩ@3.6A,10V
漏源极电压Vds 40V 40V
Pd-功率耗散(Max) 1.25W 1.3W(Ta)
栅极电压Vgs ±20V ±16V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 4.5V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT-23 Micro3™/SOT-23
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 4.3A 3.6A
系列 - HEXFET®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 25V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 25µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 266pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 3.9nC @ 4.5V
通道数 Single -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
Rds On(max)@Id,Vgs 42mΩ@4.3A,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 25µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 266pF
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 3.9nC
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PJA3440_R1_00001 Panjit  数据手册 功率MOSFET

SOT-23

暂无价格 0 当前型号
IRLML0040TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

Micro3™/SOT-23

¥1.133 

阶梯数 价格
50: ¥1.133
200: ¥0.8723
1,500: ¥0.759
3,000: ¥0.66
24,316 对比
IRLML0040TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

Micro3™/SOT-23

¥0.5942 

阶梯数 价格
1: ¥0.5942
100: ¥0.522
364 对比
IRLML0040TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

Micro3™/SOT-23

暂无价格 0 对比
PJA3440-AU_R1_000A1 Panjit  数据手册 功率MOSFET

SOT-23

暂无价格 0 对比

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