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RS1G180MNTB  与  IPC50N04S5L5R5ATMA1  区别

型号 RS1G180MNTB IPC50N04S5L5R5ATMA1
唯样编号 A3x-RS1G180MNTB A-IPC50N04S5L5R5ATMA1
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 RS1G180MN Series 40 V 18 A 19.5 nC Surface Mount N-Channel Power Mosfet - HSOP-8 MOSFET N-CH 40V 50A 8TDSON-33
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 42W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 7mΩ@18A,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 40V -
Pd-功率耗散(Max) 3W(Ta),30W(Tc) -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 1209pF @ 25V
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 HSOP 8-PowerTDFN
工作温度 150°C(TJ) -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 18A -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2V @ 13uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 23nC @ 10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1293pF @ 20V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 19.5nC @ 10V -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 5.5 毫欧 @ 25A,10V
Vgs(最大值) - ±16V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 50A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
漏源电压(Vdss) - 40V
库存与单价
库存 10,000 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税)
2,500+ :  ¥1.6984
暂无价格
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