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RFNL10BM6SFHTL  与  RFNL10BGE6STL  区别

型号 RFNL10BM6SFHTL RFNL10BGE6STL
唯样编号 A3x-RFNL10BM6SFHTL A33-RFNL10BGE6STL
制造商 ROHM Semiconductor ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 快恢复/超快恢复二极管 快恢复/超快恢复二极管
描述 Super Fast Recovery Diode 600V 10A, TO-252, Single Super Fast Recovery Diode
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
反向漏电流Ir 10uA 10uA
封装/外壳 TO-252 TO-252GE
反向电压Vr 600V 600V
工作温度 -55℃~150℃ -55℃~150℃
反向峰值电压Vrrm 600V 600V
正向电压Vf 1.3V 1.3V
产品特性 车规 -
正向电流If 10A 10A
正向浪涌电流Ifsm 100A 100A
反向恢复时间trr - 150ns
反向恢复时间Trr 150ns -
库存与单价
库存 80 24
工厂交货期 3 - 5天 21 - 28天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RFNL10BM6SFHTL ROHM Semiconductor  数据手册 快恢复/超快恢复二极管

100A 600V 600V 10A 1.3V 10uA -55℃~150℃ TO-252 车规

暂无价格 80 当前型号
RFNL10BGE6STL ROHM Semiconductor  数据手册 快恢复/超快恢复二极管

TO-252GE 100A 600V 600V 10A 1.3V 10uA 150ns -55℃~150℃

暂无价格 24 对比
RFNL10BGE6STL ROHM Semiconductor  数据手册 快恢复/超快恢复二极管

TO-252GE 100A 600V 600V 10A 1.3V 10uA 150ns -55℃~150℃

暂无价格 15 对比

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