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R8008ANJGTL  与  R8008ANJFRGTL  区别

型号 R8008ANJGTL R8008ANJFRGTL
唯样编号 A3x-R8008ANJGTL A-R8008ANJFRGTL
制造商 ROHM Semiconductor ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 - TO-263S-3
连续漏极电流Id - 8A
工作温度 - -55°C~150°C
通道数量 - 1 Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs - 1.03Ω
配置 - Single
漏源极电压Vds - 800V
产品特性 - 车规
Pd-功率耗散(Max) - 195W
Qg-栅极电荷 - 38 nC
栅极电压Vgs - 30V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
1,000+ :  ¥5.5427
1,000+ :  ¥7.9936
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
R8008ANJGTL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

¥5.5427 

阶梯数 价格
1,000: ¥5.5427
0 当前型号
R8008ANJFRGTL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-263S-3 800V 8A 1.03Ω 30V 195W -55°C~150°C 车规

¥7.9936 

阶梯数 价格
1,000: ¥7.9936
4,000 对比
R8008ANJFRGTL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-263S-3 800V 8A 1.03Ω 30V 195W -55°C~150°C 车规

暂无价格 160 对比
R8008ANJFRGTL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-263S-3 800V 8A 1.03Ω 30V 195W -55°C~150°C 车规

¥7.9936 

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