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ZXMN6A11GTA  与  STN3NF06L  区别

型号 ZXMN6A11GTA STN3NF06L
唯样编号 A36-ZXMN6A11GTA A36-STN3NF06L
制造商 Diodes Incorporated STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 ZXMN6A11G Series 60 V 0.12 Ohm N-Channel Enhancement Mode MOSFET - SOT-223 STN3NF06L Series 60 V 0.1 Ohm N-Channel STripFET™ II Power MosFet - SOT-223
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 120mΩ@2.5A,10V 100mΩ@1.5A,10V
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 2W(Ta) 3.3W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±16V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT-223 SOT-223
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 4.4A 4A
系列 - STripFET™ II
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA 2.8V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 330pF @ 40V 340pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 5.7nC @ 10V 9nC @ 5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 5V,10V
库存与单价
库存 415 1,099
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
20+ :  ¥2.519
50+ :  ¥1.936
30+ :  ¥2.398
100+ :  ¥1.914
1,000+ :  ¥1.716
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