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ZXMN2F30FHTA  与  IRLML6246TRPBF  区别

型号 ZXMN2F30FHTA IRLML6246TRPBF
唯样编号 A36-ZXMN2F30FHTA A36-IRLML6246TRPBF
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 46mΩ@4.1A,4.5V
漏源极电压Vds 20V 20V
Pd-功率耗散(Max) 960mW(Ta) 1.3W(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs 45mΩ@2.5A,4.5V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 452 pF @ 10 V -
栅极电压Vgs ±12V ±12V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 4.5V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 4.8 nC @ 4.5 V -
封装/外壳 SOT-23-3 Micro3™/SOT-23
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 4.1A(Ta) 4.1A
系列 - HEXFET®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 16V
驱动电压 2.5V,4.5V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 1.1V @ 5µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 290pF @ 16V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 3.5nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 2.5V,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 1.1V @ 5µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 290pF @ 16V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 3.5nC @ 4.5V
库存与单价
库存 3,012 6,766
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
40+ :  ¥1.617
100+ :  ¥1.243
750+ :  ¥1.034
1,500+ :  ¥0.9405
3,000+ :  ¥0.8624
70+ :  ¥0.8063
200+ :  ¥0.5566
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
ZXMN2F30FHTA Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

SOT-23-3

¥1.617 

阶梯数 价格
40: ¥1.617
100: ¥1.243
750: ¥1.034
1,500: ¥0.9405
3,000: ¥0.8624
3,012 当前型号
RUR040N02TL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

SC-96

¥0.88 

阶梯数 价格
3,000: ¥0.88
15,000 对比
IRLML6246TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

Micro3™/SOT-23

¥0.8063 

阶梯数 价格
70: ¥0.8063
200: ¥0.5566
6,766 对比
RUR040N02TL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

SC-96

¥2.5011 

阶梯数 价格
60: ¥2.5011
100: ¥2.3765
500: ¥1.974
1,000: ¥1.8974
2,000: ¥1.7728
4,000: ¥1.7536
4,181 对比
RUR040N02TL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

SC-96

¥1.3359 

阶梯数 价格
1: ¥1.3359
25: ¥1.1515
100: ¥1.0302
500: ¥0.8881
1,000: ¥0.7656
1,960 对比
RUR040N02TL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

SC-96

暂无价格 100 对比

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