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ZXM61P03FTA  与  IRLML5103TRPBF  区别

型号 ZXM61P03FTA IRLML5103TRPBF
唯样编号 A36-ZXM61P03FTA A33-IRLML5103TRPBF
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 小信号MOSFET
描述 ZXM61P03F 30 V 0.35 Ohm P-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET - SOT-23 Single P-Channel 30 V 1 Ohm 5.1 nC 540 W Generation V SMT Mosfet - SOT-23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 350mΩ@600mA,10V 600mΩ@600mA,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 625mW(Ta) 540mW(Ta)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 SOT-23 Micro3™/SOT-23
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 1.1A 0.76A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA 1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 140pF @ 25V 75pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 4.8nC @ 10V 5.1nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 1V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 75pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 5.1nC @ 10V
库存与单价
库存 3,243 6,000
工厂交货期 3 - 15天 21 - 28天
单价(含税)
60+ :  ¥0.891
200+ :  ¥0.6138
1,500+ :  ¥0.5577
70+ :  ¥2.3286
100+ :  ¥1.7345
500+ :  ¥1.3416
1,000+ :  ¥1.2649
2,000+ :  ¥1.2074
4,000+ :  ¥1.1595
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
ZXM61P03FTA Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

¥0.891 

阶梯数 价格
60: ¥0.891
200: ¥0.6138
1,500: ¥0.5577
3,243 当前型号
IRLML5203TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

SOT-23

¥1.2937 

阶梯数 价格
120: ¥1.2937
500: ¥1.1691
1,000: ¥1.1691
2,000: ¥1.1595
4,000: ¥1.1595
17,870 对比
IRLML5103TRPBF Infineon  数据手册 小信号MOSFET

Micro3™/SOT-23

¥2.3286 

阶梯数 价格
70: ¥2.3286
100: ¥1.7345
500: ¥1.3416
1,000: ¥1.2649
2,000: ¥1.2074
4,000: ¥1.1595
6,000 对比
IRLML5103TRPBF Infineon  数据手册 小信号MOSFET

Micro3™/SOT-23

¥0.6765 

阶梯数 价格
80: ¥0.6765
200: ¥0.5512
1,500: ¥0.5005
2,231 对比
IRLML5203TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

SOT-23

¥0.7326 

阶梯数 价格
70: ¥0.7326
200: ¥0.5967
1,500: ¥0.5421
1,889 对比
IRLML5203TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

SOT-23

暂无价格 0 对比

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