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SUD50P06-15-GE3  与  TJ50S06M3L(T6L1,NQ  区别

型号 SUD50P06-15-GE3 TJ50S06M3L(T6L1,NQ
唯样编号 A36-SUD50P06-15-GE3 A33-TJ50S06M3L(T6L1,NQ
制造商 Vishay Toshiba
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 Single P-Channel 60 V 0.015 Ohm Surface Mount Power MosFet - TO-252-3 MOSFET P-CH 60V 50A DPAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 15mΩ@17A,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 60V 60 V
Pd-功率耗散(Max) 113W 90W(Tc)
产品状态 - 在售
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 13.8 毫欧 @ 25A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 6290 pF @ 10 V
Vgs(th) - 3V @ 1mA
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 P-Channel P-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 124 nC @ 10 V
封装/外壳 TO-252AA DPAK+
工作温度 -55°C~150°C 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 50A 50A(Ta)
Vgs(最大值) - +10V,-20V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 6V,10V
库存与单价
库存 5,245 1,859
工厂交货期 3 - 15天 21 - 28天
单价(含税)
6+ :  ¥8.69
100+ :  ¥7.238
1,000+ :  ¥6.578
2,000+ :  ¥6.094
20+ :  ¥10.3778
50+ :  ¥5.8453
100+ :  ¥5.28
500+ :  ¥4.8967
1,000+ :  ¥4.82
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SUD50P06-15-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

TO-252AA P-Channel 15mΩ@17A,10V 113W -55°C~150°C ±20V 60V 50A

¥8.69 

阶梯数 价格
6: ¥8.69
100: ¥7.238
1,000: ¥6.578
2,000: ¥6.094
5,245 当前型号
TJ50S06M3L(T6L1,NQ Toshiba  数据手册 通用MOSFET

P-Channel 90W(Tc) DPAK+ 175°C(TJ) 60 V 50A(Ta)

¥10.3778 

阶梯数 价格
20: ¥10.3778
50: ¥5.8453
100: ¥5.28
500: ¥4.8967
1,000: ¥4.82
1,859 对比
TJ60S06M3L(T6L1,NQ Toshiba  数据手册 通用MOSFET

P-Channel 100W(Tc) DPAK+ 175°C(TJ) 60 V 60A(Ta)

¥11.0965 

阶梯数 价格
20: ¥11.0965
50: ¥6.564
100: ¥5.9986
500: ¥5.6153
899 对比
TJ60S06M3L(T6L1,NQ Toshiba  数据手册 通用MOSFET

P-Channel 100W(Tc) DPAK+ 175°C(TJ) 60 V 60A(Ta)

暂无价格 0 对比
NVD5117PLT4G-VF01 ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

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暂无价格 0 对比
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