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STP24N60DM2  与  SPP20N60C3  区别

型号 STP24N60DM2 SPP20N60C3
唯样编号 A36-STP24N60DM2 A36-SPP20N60C3
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 600 V 0.2 Ohm 29 nC 150 W Silicon Flange Mount Mosfet TO-220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 4.4mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 200mΩ@9A,10V 190mΩ
上升时间 - 5ns
Rth - 0.6 K/W
RthJA max - 62.0 K/W
栅极电压Vgs ±25V 2.1V,3.9V
RthJA max - 62.0K/W
封装/外壳 TO-220 TO-220
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 18A 20.7A
配置 - Single
QG (typ @10V) - 87.0 nC
Ptot max - 156.0W
长度 - 10mm
QG - 87.0nC
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
IDpuls max - 62.1 A
下降时间 - 4.5ns
高度 - 15.65mm
Budgetary Price €€/1k - 1.89
RthJC max - 0.6K/W
漏源极电压Vds 600V 600V
Moisture Level - NA
Pd-功率耗散(Max) 150W(Tc) 208W
典型关闭延迟时间 - 67ns
FET类型 N-Channel N-Channel
Mounting - THT
RthJC max - 0.6 K/W
系列 FDmesh™ II Plus CoolMOSC3
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1055pF @ 100V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 29nC @ 10V -
Ptot max - 156.0 W
典型接通延迟时间 - 10ns
库存与单价
库存 596 121
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
7+ :  ¥7.711
100+ :  ¥6.523
6+ :  ¥8.8
10+ :  ¥8.778
购买数量

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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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¥23.889 

阶梯数 价格
7: ¥23.889
10: ¥20.0273
50: ¥17.7179
100: ¥15.7823
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