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STP24N60DM2  与  AOT27S60L  区别

型号 STP24N60DM2 AOT27S60L
唯样编号 A36-STP24N60DM2 A-AOT27S60L
制造商 STMicroelectronics AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 600 V 0.2 Ohm 29 nC 150 W Silicon Flange Mount Mosfet TO-220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 2.3
Rds On(Max)@Id,Vgs 200mΩ@9A,10V 160mΩ@10V
ESD Diode - No
漏源极电压Vds 600V 600V
Pd-功率耗散(Max) 150W(Tc) 357W
Qrr(nC) - 7.5
VGS(th) - 4
Qgd(nC) - 8.8
栅极电压Vgs ±25V 30V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-220 TO-220
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -
连续漏极电流Id 18A 27A
系列 FDmesh™ II Plus -
Ciss(pF) - 1294
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1055pF @ 100V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 29nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
Schottky Diode - No
Trr(ns) - 440
Coss(pF) - 80
Qg*(nC) - 26
库存与单价
库存 596 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
9+ :  ¥5.94
100+ :  ¥4.752
暂无价格
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