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STP150N10F7  与  IRFB4110PBF  区别

型号 STP150N10F7 IRFB4110PBF
唯样编号 A36-STP150N10F7 A36-IRFB4110PBF
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 110A TO220 Single N-Channel 100 V 370 W 210 nC Silicon Through Hole Mosfet - TO-220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 4.5mΩ@75A,10V
漏源极电压Vds - 100V
Pd-功率耗散(Max) - 370W(Tc)
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-220-3 TO-220AB
工作温度 - -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id - 180A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 9620pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 210nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
库存与单价
库存 75 3,000
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
6+ :  ¥8.47
9+ :  ¥5.72
100+ :  ¥4.576
1,000+ :  ¥4.235
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STP150N10F7 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

¥8.47 

阶梯数 价格
6: ¥8.47
75 当前型号
IRFB4110PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-220AB

¥5.72 

阶梯数 价格
9: ¥5.72
100: ¥4.576
1,000: ¥4.235
3,000 对比
AOT292L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-220

¥12.2449 

阶梯数 价格
1: ¥12.2449
100: ¥8.8235
500: ¥7.5949
1,000: ¥6
1,000 对比
IRFB4110PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-220AB

暂无价格 1,000 对比
IPP045N10N3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP045N10N3GXKSA1_TO-220-3

暂无价格 500 对比
IPP045N10N3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP045N10N3GXKSA1_TO-220-3

¥20.0273 

阶梯数 价格
8: ¥20.0273
10: ¥15.6194
50: ¥15.1402
100: ¥14.5653
500: ¥14.3736
500 对比

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