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STP10N95K5  与  IPP65R660CFD  区别

型号 STP10N95K5 IPP65R660CFD
唯样编号 A36-STP10N95K5 A-IPP65R660CFD
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 950V 8A TO220
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 4.4mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 594mΩ
上升时间 - 8ns
漏源极电压Vds - 650V
Pd-功率耗散(Max) - 62.5W
Qg-栅极电荷 - 22nC
栅极电压Vgs - 20V
典型关闭延迟时间 - 40ns
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-220-3 -
连续漏极电流Id - 6A
工作温度 - -55°C~150°C
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
系列 - CoolMOSCFD2
长度 - 10mm
下降时间 - 10ns
典型接通延迟时间 - 9ns
高度 - 15.65mm
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STP10N95K5 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

暂无价格 0 当前型号
IPP90R800C3 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP90R800C3XKSA1_-55°C~150°C(TJ) 900V 6.9A 800mΩ 20V 104W N-Channel

暂无价格 0 对比
IPP65R660CFD Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP65R660CFDXKSA1_650V 6A 594mΩ 20V 62.5W N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 0 对比
AOT7S65L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-220 N-Channel 650V 30V 7A 104W 650mΩ@10V

暂无价格 0 对比
AOT12N65 AOS  数据手册 功率MOSFET

12A(Tc) N-Channel ±30V 720 mΩ @ 6A,10V TO-220 278W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 650V

暂无价格 0 对比
AOT11N70 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-220 N-Channel 700V 30V 11A 271W 870mΩ@10V

暂无价格 0 对比

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