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STF26NM60N  与  IPA60R125C6XKSA1  区别

型号 STF26NM60N IPA60R125C6XKSA1
唯样编号 A36-STF26NM60N A-IPA60R125C6XKSA1
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 30A TO220-FP
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 34W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 165mΩ@10A,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 600V -
Pd-功率耗散(Max) 35W(Tc) -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 2127pF @ 100V
栅极电压Vgs ±30V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 TO-220FP TO-220-3 整包
工作温度 150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 20A -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 3.5V @ 960uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 96nC @ 10V
系列 MDmesh™ II -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1800pF @ 50V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 60nC @ 10V -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 125 毫欧 @ 14.5A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 30A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
漏源电压(Vdss) - 600V
库存与单价
库存 3 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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