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STF24N60M2  与  AOTF190A60L  区别

型号 STF24N60M2 AOTF190A60L
唯样编号 A36-STF24N60M2 A36-AOTF190A60L
制造商 STMicroelectronics AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 600 V 190 mO Flange Mount MDMesh II Plus Mosfet - TO-220FP
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 1.25
Rds On(Max)@Id,Vgs 190mΩ@9A,10V 190mΩ@10V
ESD Diode - No
Qgd(nC) - 11
栅极电压Vgs ±25V 20V
Td(on)(ns) - 49
封装/外壳 TO-220FP TO-220F
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -
连续漏极电流Id 18A 20*A
Ciss(pF) - 1935
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
Schottky Diode - No
Trr(ns) - 341
Td(off)(ns) - 115
漏源极电压Vds 600V 600V
Pd-功率耗散(Max) 30W(Tc) 32W
Qrr(nC) - 6800
VGS(th) - 4.6
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 MDmesh™ II Plus -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1060pF @ 100V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 29nC @ 10V -
Coss(pF) - 55
Qg*(nC) - 34
库存与单价
库存 13,301 0
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
20+ :  ¥4.895
100+ :  ¥3.916
1,000+ :  ¥3.63
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STF24N60M2 STMicro  数据手册 功率MOSFET

±25V 30W(Tc) 190mΩ@9A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220FP N-Channel 600V 18A

¥4.895 

阶梯数 价格
20: ¥4.895
100: ¥3.916
1,000: ¥3.63
13,301 当前型号
IPA60R190P6 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPA60R190P6XKSA1_600V 20.2A 190Ω 20V 34W N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 500 对比
IPA60R160C6XKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPA60R160C6_N 通道 TO-220-3 整包 -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
AOTF190A60L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-220F N-Channel 600V 20V 20*A 32W 190mΩ@10V

暂无价格 0 对比
IPA60R600P6 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPA60R600P6XKSA1_600V 7.3A 540mΩ 20V 28W N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 0 对比
IPA60R190C6XKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPA60R190C6_N 通道 TO-220-3 整包 -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比

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