尊敬的客户:清明节4月4日-6日我司放假,放假期间网站可自助下单,节后将按订单先后顺序安排,给您带来的不便,敬请谅解!
首页 > 商品目录 > > > > STF18NM80代替型号比较

STF18NM80  与  TK11A65W,S5X  区别

型号 STF18NM80 TK11A65W,S5X
唯样编号 A36-STF18NM80 A-TK11A65W,S5X
制造商 STMicroelectronics Toshiba
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 STF18NM80 Series 800 V 17 A 0.295 Ohms MDmesh™ Power MOSFET - TO-220FP MOSFET N-CH 650V 11.1A TO220SIS
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds - 650 V
Pd-功率耗散(Max) - 35W(Tc)
产品状态 - 在售
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 390 毫欧 @ 5.5A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 890 pF @ 300 V
Vgs(th) - 3.5V @ 450uA
FET类型 - N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 25 nC @ 10 V
封装/外壳 TO-220-3 整包 TO-220SIS
工作温度 - 150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 11.1A(Ta)
Vgs(最大值) - ±30V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STF18NM80 STMicro  数据手册 功率MOSFET

TO-220-3 整包

暂无价格 0 当前型号
R6011ENX ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 600V 11A ±20V 40W 390mΩ@3.8A,10V 150°C(TJ) TO-220-3

暂无价格 500 对比
R6011ENX ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 600V 11A ±20V 40W 390mΩ@3.8A,10V 150°C(TJ) TO-220-3

¥20.7047 

阶梯数 价格
1: ¥20.7047
100: ¥11.0563
500: ¥7.9937
486 对比
SPA11N60C3XKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

SPA11N60C3_N 通道 TO-220-3 整包 -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
SPA11N60C3 Infineon  数据手册 功率MOSFET

SPA11N60C3XKSA1_600V 11A 380mΩ 10V 33W N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 0 对比
TK11A65W,S5X Toshiba  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 35W(Tc) TO-220SIS 150°C(TJ) 650 V 11.1A(Ta)

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售

Tips
Your browser language is English. Do you want to browse the English Website?
YESNO

我们会将数据手册发送到您的邮箱!

发送取消