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STD13NM60N  与  IPD60R385CP  区别

型号 STD13NM60N IPD60R385CP
唯样编号 A36-STD13NM60N A-IPD60R385CP
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 6.22mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 360mΩ@5.5A,10V 385mΩ
上升时间 - 5ns
Qg-栅极电荷 - 22nC
Rth - 1.5K/W
栅极电压Vgs ±25V 2.5V,3.5V
RthJA max - 62.0K/W
封装/外壳 DPAK DPAK (TO-252)
工作温度 150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 11A 27A
配置 - Single
Ptot max - 83.0W
长度 - 6.5mm
QG - 17.0nC
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
下降时间 - 5ns
高度 - 2.3mm
Budgetary Price €€/1k - 0.73
漏源极电压Vds 650V 600V
Pd-功率耗散(Max) 90W(Tc) 83W
典型关闭延迟时间 - 40ns
FET类型 N-Channel N-Channel
Pin Count - 3.0Pins
Mounting - SMT
系列 MDmesh™ II CoolMOSCP
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 790pF @ 50V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 30nC @ 10V -
典型接通延迟时间 - 10ns
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STD13NM60N STMicro  数据手册 功率MOSFET

±25V 90W(Tc) 360mΩ@5.5A,10V 150°C(TJ) DPAK N-Channel 650V 11A

暂无价格 0 当前型号
STL13N60M2 STMicro  数据手册 功率MOSFET

PowerFLAT-5x6-8

暂无价格 0 对比
IPD65R380C6BTMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD65R380C6_N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
IPD60R380C6 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD60R380C6ATMA1_-55°C~150°C(TJ) 10.6A 380mΩ 83W N-Channel 600V 10V

暂无价格 0 对比
STL13N60M2 STMicro  数据手册 功率MOSFET

PowerFLAT-5x6-8

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IPD60R385CP Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD60R385CPATMA1_83W 385mΩ 27A 600V DPAK (TO-252) N-Channel 2.5V,3.5V -55°C~150°C

暂无价格 0 对比

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